[發明專利]形成自對準觸點

在審

• 申請號: 201880047408.0
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN110892523A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 范淑貞;B·普拉納薩蒂哈倫;A·格林;謝瑞龍;M·V·雷蒙德;S·連
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司;格芯公司;三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉都;于靜

1.一種形成自對準觸點的方法，該方法包括以下步驟：

在襯底上形成多個柵極側壁間隔物；

將所述柵極側壁間隔物埋入電介質中；

通過從所述柵極側壁間隔物之間的將要形成柵極的區域選擇性地去除所述電介質來形成柵極溝槽；

在所述柵極溝槽中形成所述柵極；

通過從所述柵極側壁間隔物之間的將要形成自對準觸點的區域選擇性地去除所述電介質來形成觸點溝槽；以及

在所述觸點溝槽中形成自對準觸點。

2.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在所述襯底上形成間隔物材料層；以及

圖案化所述間隔物材料層以在所述襯底上形成所述柵極側壁間隔物。

3.如權利要求2所述的方法，其中，側壁圖像轉移(SIT)用于圖案化所述間隔物材料層，以在所述襯底上形成所述柵極側壁間隔物。

4.如權利要求3所述的方法，還包括以下步驟：

在所述間隔物材料層上形成心軸；

在所述心軸的相對側上形成復合SIT間隔物，其中，所述復合SIT間隔物包括：i)在所述心軸的相對側上的第一間隔物，以及ii)在所述心軸相對側的所述第一間隔物的一側上的第二間隔物。

5.如權利要求4所述的方法，還包括以下步驟：

去除對所述復合間隔物有選擇性的所述心軸；

使用所述復合間隔物來圖案化所述間隔物材料層；

選擇性地去除所述第二間隔物；以及

使用所述第一間隔物來圖案化所述間隔物材料層。

6.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在從所述柵極側壁間隔物之間的將要形成柵極的所述區域選擇性地去除所述電介質之前，形成覆蓋在所述柵極側壁間隔物之間的將形成所述自對準觸點的所述區域之間的掩模。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述柵極包括替換金屬柵極，并且其中，在所述柵極溝槽中形成所述柵極的步驟包括以下步驟：

將柵極電介質沉積到所述柵極溝槽中；

在所述柵極電介質上沉積功函數設定金屬；以及

在所述功函數設定金屬上沉積填充金屬。

8.如權利要求7所述的方法，其中，所述柵極電介質包括選自由氧化鉿和氧化鑭組成的組中的高κ材料。

9.如權利要求7所述的方法，其中所述功函數設定金屬選自：氮化鈦、氮化鉭和鎢。

10.如權利要求7所述的方法，其中，所述填充金屬包括鋁。

11.如權利要求1所述的方法，其中，所述自對準觸點包括溝槽硅化物。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述溝槽硅化物包括硅化鎳。

13.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

選擇性地去除所述柵極中的至少一個。

14.如權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：

選擇性地去除所述柵極中的每隔一個的柵極。

15.如權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：

對除將要選擇性地去除的柵極之外的所有柵極掩模。

16.如權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：

用絕緣體填充至少已從中選擇性地去除所述柵極的至少一個的所述柵極溝槽。

17.如權利要求16所述的方法，其中，所述絕緣體包括氮化物材料。