[發明專利]在微機電系統中提供吸氣劑的系統和方式

在審

• 申請號: 201880027814.0
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN110678415A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 李大成;杰夫·俊杰·黃;辛宗佑;金邦尚;羅史瓦拉恩·夫拉亞·杰拉馬
• 申請（專利權）人: 應美盛公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B3/00;B81B7/02
• 代理公司: 11315 北京國昊天誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 南霆;程爽

1.一種方法，其包括：

接合微機電系統(MEMS)至基底，所述MEMS與所述基底之間具有第一空腔及第二空腔；

于所述第一空腔中的所述基底上提供第一吸氣劑；

整合所述第一吸氣劑與電極；以及

于所述基底上的鈍化層上方的所述第一空腔中提供第二吸氣劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一空腔包含陀螺儀空腔，且所述第二空腔包含加速度計空腔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底包含CMOS基底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述接合包含通過金屬層接合所述MEMS至所述基底。

5.根據權利要求1所述的方法，其中整合所述第一吸氣劑與所述電極包含沉積所述第一吸氣劑的第一吸氣層于所述電極的金屬層上方。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一吸氣層包含鈦，以及所述金屬層包含鋁。

7.根據權利要求1所述的方法，包括：

沉積所述第一吸氣劑的第一吸氣層于金屬層上；

圖案化所述第一吸氣層；

沉積阻擋層于所述第一吸氣層上方以及于所述金屬層上方；

圖案化所述阻擋層、所述第一吸氣層以及所述金屬層的一或多層以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多個包含所述阻擋層、所述第一吸氣層以及所述金屬層；

在所述堆迭周圍沉積所述鈍化層；

選擇性地移除所述鈍化層以暴露出所述堆迭的一或多個；以及

選擇性地移除所述阻擋層以暴露出所述第一吸氣層。

8.根據權利要求1所述的方法，包括：

沉積所述第一吸氣劑的第一吸氣層于金屬層上；

沉積阻擋層于所述第一吸氣層上；

圖案化所述阻擋層、所述第一吸氣層以及所述金屬層的一或多層以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多個包含所述阻擋層、所述第一吸氣層以及所述金屬層；

在所述堆迭周圍沉積所述鈍化層；

選擇性地移除所述鈍化層以暴露出所述堆迭的一或多個；以及

選擇性地移除所述阻擋層以暴露出所述第一吸氣層。

9.根據權利要求1所述的方法，包括：

沉積阻擋層于金屬層上；

沉積所述第一吸氣劑的第一吸氣層于所述阻擋層上；

圖案化所述第一吸氣層、所述阻擋層以及所述金屬層的一或多層以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多個包含所述第一吸氣層、所述阻擋層以及所述金屬層；

在所述堆迭周圍沉積鈍化層；

選擇性地移除所述鈍化層以暴露出所述堆迭的一或多個；以及

選擇性地移除所述第一吸氣層以暴露出所述阻擋層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中提供所述第二吸氣劑包含：

沉積所述第二吸氣劑的第二吸氣層于所述鈍化層上方；

圖案化所述第二吸氣層；

在圖案化所述第二吸氣層后于所述鈍化層蝕刻出槽孔；

沉積導電層于所述槽孔上方以及所述第二吸氣層上方；以及

蝕刻所述導電層以暴露出所述第二吸氣層的一部分，其中所述導電層提供導電路徑，所述導電路徑通過所述槽孔從所述第二吸氣層到凸起擋止塊的金屬層。

11.根據權利要求1所述的方法，其中提供所述第二吸氣劑包含：

在所述鈍化層中蝕刻出槽孔；

于所述鈍化層上方以及于所述槽孔上方沉積所述第二吸氣劑的第二吸氣層；

于所述第二吸氣層上方沉積導電層；

圖案化所述導電層以及所述第二吸氣層；以及

蝕刻所述導電層以暴露出所述第二吸氣層。

12.根據權利要求11所述的方法，包括通過凸起擋止塊中的所述槽孔將沉積在所述基底上的金屬層和所述第二吸氣層電性耦接。