[發(fā)明專利]生片形成用剝離膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880016630.4
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN110382186A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設計）人: 佐藤慶一;深谷知巳
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B28B1/30
• 分類號: B28B1/30;B32B27/00;C09J7/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種生片形成用剝離膜，其用于形成生片，

該生片形成用剝離膜具備：

基材、和

設置于所述基材的一面的剝離劑層，

所述剝離劑層由剝離劑形成用材料的固化物形成，該剝離劑形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的結構單元及下述通式(2)表示的結構單元的含離子性基團的有機硅化合物，

在所述通式(1)中，

R¹及R²任選相同或不同，分別表示碳原子數(shù)為1～6的烷基、或苯基，

在所述通式(2)中，

R³表示碳原子數(shù)為1～6的烷基、碳原子數(shù)為1～6的烷氧基、或苯基，

L表示單鍵、亞烷基、二有機硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2價基團，

Y表示下述通式(4)表示的含有兩性離子的基團，

在所述通式(3)中，

l為1～4的整數(shù)，m為1～10的整數(shù)，

在所述通式(4)中，

R⁴及R⁵任選相同或不同，表示碳原子數(shù)1～6的烷基、苯基、碳原子數(shù)1～6的氟取代烷基、或碳原子數(shù)1～6的含羥基的羥基烷基，

R⁴及R⁵任選形成環(huán)，且在形成環(huán)時表示亞烷基，

n為3～6的整數(shù)。

2.根據權利要求1所述的生片形成用剝離膜，其中，

所述(A)固化性化合物為(A1)能量射線固化性化合物。

3.根據權利要求1所述的生片形成用剝離膜，其中，

所述(A)固化性化合物為(A2)熱固性化合物。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的生片形成用剝離膜，其中，

所述(B)含離子性基團的有機硅化合物具有選自碳原子數(shù)2～6的烯基、丙烯酰基、硫羥基及氫化甲硅烷基中的至少1種反應性官能團。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的生片形成用剝離膜，其中，

所述剝離劑層的外表面的算術平均粗糙度Ra為8nm以下，且所述剝離劑層的外表面的最大突起高度Rp為80nm以下。