[發明專利]無螺栓襯底支撐件組件有效

申請號：	201880015101.2	申請日：	2018-03-07
公開（公告）號：	CN110352481B	公開（公告）日：	2023-04-28
發明（設計）人：	郝芳莉;付越虹;陳志剛	申請（專利權）人：	朗姆研究公司
主分類號：	H01L21/683	分類號：	H01L21/683;H01L21/67;H01L21/68
代理公司：	上海勝康律師事務所 31263	代理人：	樊英如;張華
地址：	美國加利***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	螺栓襯底支撐組件
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【說明書】：

一種襯底支撐件包括被布置為支撐陶瓷層的導電基板。所述導電基板包括沿垂直于由所述導電基板限定的水平平面的軸線延伸的第一腔。耦合組件被布置在所述第一腔內。所述耦合組件包括被配置為圍繞所述軸線旋轉的齒輪。布置在所述第一腔內的銷沿所述軸線延伸穿過所述齒輪并進入所述導電基板下方的第二腔內。所述齒輪的旋轉使所述銷相對于所述導電基板向上或向下移動。所述銷在所述齒輪旋轉以使所述銷向下移動到所述第二腔內時保持在所述第二腔內。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年3月8日提交的美國專利申請No.15/452,976的優先權。上述申請的全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及襯底處理系統中的襯底支撐件組件。

背景技術

這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此背景技術部分以及在提交申請時不能確定為現有技術的描述的各方面中描述的范圍內的當前指定的發明人的工作既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。

襯底處理系統可用于處理諸如半導體晶片之類的襯底。可以在襯底上執行的示例性處理包括但不限于化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導體蝕刻、電介質蝕刻和/或其他蝕刻、沉積或清潔工藝。襯底可以布置在襯底處理系統的處理室中的襯底支撐件上，襯底支撐件例如基座、靜電卡盤(ESC)等。在蝕刻期間，可以將包括一種或多種前體的氣體混合物引入處理室，并且可以使用等離子體來引發化學反應。

襯底支撐件可包括布置成支撐襯底的陶瓷層。例如，可以在處理期間將襯底夾持到陶瓷層上。陶瓷層可以布置在導電(例如鋁)基板上。基板可以進一步設置在絕緣基座上。例如，陶瓷基板可以布置在處理室的底表面和導電基板之間。

發明內容

根據詳細描述、權利要求和附圖，本公開內容的適用性的進一步的范圍將變得顯而易見。詳細描述和具體示例僅用于說明的目的，并非意在限制本公開的范圍。

附圖說明

根據詳細描述和附圖將更充分地理解本公開，其中：

圖1是示例性襯底支撐件，其包括一個或多個用于連接導電基板的螺栓；

圖2是根據本公開的包括襯底支撐件的示例性處理室的功能框圖；

圖3A和3B示出了包括根據本公開的第一示例性耦合組件的襯底支撐件。

圖3C和3D示出了包括根據本公開的第二示例性耦合組件的襯底支撐件。

圖4示出了包括根據本公開的第三示例性耦合組件的襯底支撐件。

圖5示出了包括根據本公開的第四示例性耦合組件的襯底支撐件。

圖6示出了包括根據本公開的第五示例性耦合組件的襯底支撐件。