[發明專利]抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法在審
| 申請號: | 201880006892.2 | 申請日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN110192151A | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 生川智啟;藤崎真史;長峰高志;高木大地 | 申請(專利權)人: | 東京應化工業株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/004 | 分類號: | G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 毛立群 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕劑組合物 產酸劑 顯影液 抗蝕劑圖案 曝光 基材 | ||
1.一種抗蝕劑組合物,通過曝光產生酸、并且對顯影液的溶解性因酸的作用而變化,其特征在于,
含有對顯影液的溶解性因酸的作用而變化的基材成分(A)與通過曝光產生酸的產酸劑成分(B),
所述產酸劑成分(B)包含以下述通式(b1)表示的化合物與以下述通式(b2)表示的化合物,
【化1】
通式(b1)中,Rb11是具有取代基的芳基,Rb12以及Rb13分別獨立地為可具有取代基的碳數1~10的烷基、乙酰基、碳數1~10的烷氧基、羧基或羥基,nb12是0~2的整數,nb13是0~4的整數,X-是反荷陰離子,
【化2】
通式(b2)中,R201~R203分別獨立地表示可具有取代基的芳基,Z-是反荷陰離子。
2.如權利要求1所述的抗蝕劑組合物,其特征在于,所述通式(b1)中的X-所表示的反荷陰離子,是以下述通式(b-1)~(b-3)的任一通式表示的陰離子,
【化3】
通式(b-1)~(b-3)中,R101、R104~R108分別獨立地為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基或可具有取代基的鏈狀烯基,R104、R105可以相互鍵合而形成環,R106~R108的任意兩個可以相互鍵合而形成環,R102是氟原子或碳數為1~5的氟代烷基,Y101是含有單鍵或氧原子的2價連接基團,V101~V103分別獨立地為單鍵、亞烷基或氟代亞烷基,L101~L102分別獨立地為單鍵或氧原子,L103~L105分別獨立地為單鍵、-CO-或-SO2-。
3.如權利要求1或2所述的抗蝕劑組合物,其特征在于,所述通式(b2)中的Z-所表示的反荷陰離子,是以下述通式(b-1)~(b-3)的任一通式表示的陰離子,
【化4】
通式(b-1)~(b-3)中,R101、R104~R108分別獨立地為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基或可具有取代基的鏈狀烯基,R104、R105可以相互鍵合而形成環,R106~R108的任意兩個可以相互鍵合而形成環,R102是氟原子或碳數為1~5的氟代烷基,Y101是含有單鍵或氧原子的2價連接基團,V101~V103分別獨立地為單鍵、亞烷基或氟代亞烷基,L101~L102分別獨立地為單鍵或氧原子,L103~L105分別獨立地為單鍵、-CO-或-SO2-。
4.一種抗蝕劑圖案形成方法,其包括:
在支承體上使用如權利要求1~3的任一項所述的抗蝕劑組合物而形成抗蝕劑膜的工序;
將所述抗蝕劑膜曝光的工序;
以及將所述曝光后的抗蝕劑膜顯影而形成抗蝕劑圖案的工序。
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