[發明專利]半導體芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201880002965.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110024086B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 中村俊光;內山具朗
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J4/00;C09J7/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王博;龐東成

1.一種半導體芯片制造方法，其為半導體芯片的制造方法，其特征在于，具備下述工序：

工序a，將具有表面保護帶和設置于上述表面保護帶上的掩模材料層的掩模一體型表面保護帶貼合于半導體晶片的圖案面側，對上述半導體晶片的背面進行磨削，將晶片固定帶貼合于磨削后的上述半導體晶片的背面，利用環形框進行支持固定；

工序b，將上述表面保護帶從上述掩模一體型表面保護帶剝離，使上述掩模材料層露出于表面后，利用激光將上述掩模材料層中與上述半導體晶片的切割道相當的部分切斷，使上述半導體晶片的上述切割道開口；

等離子體切割工序c，通過等離子體照射以上述切割道分割上述半導體晶片，單片化為半導體芯片；和

工序d，將剝離帶貼合于上述掩模材料層，將上述剝離帶與上述掩模材料層一起剝離而去除上述掩模材料層，

上述剝離帶由輻射固化型的樹脂構成，在上述工序d中，將上述剝離帶貼合于上述掩模材料層后，照射放射線而使上述剝離帶固化，之后將上述剝離帶與上述掩模材料層一起剝離。

2.如權利要求1所述的半導體芯片制造方法，其特征在于，上述工序d中的上述剝離帶與上述掩模材料層的粘接力強于上述工序b中的上述表面保護帶與上述掩模材料層的粘接力。

3.如權利要求1或2所述的半導體芯片制造方法，其特征在于，上述掩模材料層由非輻射固化型的粘合劑構成。