[發明專利]濺射裝置

有效

• 申請號: 201880002937.9
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109563615B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 金子俊則;大野哲宏
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/363
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 崔今花;周艷玲

本發明的濺射裝置為通過濺射法在被處理基板上進行成膜的裝置，包括：真空腔室；靶，設置在位于所述真空腔室內的陰極的表面上；基板保持部，以與所述靶相對的方式設置于所述真空腔室內，在所述基板保持部上設置被處理基板；和搖動部，用于使所述基板保持部相對于所述靶能夠搖動。所述基板保持部中的所述被處理基板的搖動區域被設定為小于所述靶的濺蝕區域。

技術領域

本發明涉及一種濺射裝置，特別是涉及一種適于在具有磁控管陰極的成膜中使用的技術。

本申請基于2017年6月28日在日本申請的專利申請第2017-126261號要求優先權，并且在此援引其內容。

背景技術

如專利文獻1中的記載，在具有磁控管陰極的成膜裝置中已知有為了提高靶的利用效率等而使磁鐵相對于靶移動的方式。

另外，如專利文獻1所公開的技術那樣，還已知有為了提高成膜均勻性等，在磁鐵移動的基礎上，使陰極及靶相對于成膜基板搖動。

在如專利文獻1所公開的技術那樣使磁鐵或陰極搖動的裝置中，必然存在由搖動中的搖動部發生的灰塵。

因此，雖然在專利文獻1中未公開，但為了防止發生的顆粒對濺射處理室內的成膜帶來不良影響，需要將用于收納并密閉驅動部的內部腔室設置于濺射處理室內，其中，該驅動部用于使磁鐵和/或陰極搖動(專利文獻2)。

專利文獻1：日本專利公開2009-41115號公報

專利文獻2：日本專利公開2012-158835號公報

專利文獻3：日本專利第5869560號公報

然而，在處理腔室內會發生多余成膜的附著物，而該附著物可能會成為發生新顆粒的原因。特別是，具有從搖動的陰極等可動部分發生的顆粒顯著的問題。因此，人們要求解決該問題。

此外，由于磁鐵和/或陰極結構部件的重量較重，因此在使該結構部件搖動時需要大功率驅動系統。此外，為了供應冷卻水和電力等，上述結構部件需要可動連接部分。為了能夠在這種裝置中維持真空密閉狀態，具有如下的問題：即，真空密閉結構復雜，制造成本也上升，裝置總體的容積也有可能增大。特別是，在如對大型基板進行濺射處理的裝置的容積增加的情況下，容積增加量甚至對配置處理裝置的建筑物的配置帶來影響。因此，尋求處理裝置的省空間化，要求解決這種問題。

另外，如專利文獻3所公開，近年來處于連續進行多種成膜處理的情況等成膜量增加的傾向，因此要進一步削減處理腔室內的成為顆粒發生原因的多余成膜面積的要求不斷提高。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而提出的，其欲實現以下目的。

1、能夠使靶和基板相對移動，并且維持形成于基板上的膜的均勻性。

2、實現裝置的省空間化。

3、與成膜量增加無關地降低顆粒發生。

4、不依賴于成為顆粒發生原因的陰極側驅動，維持成膜特性且降低顆粒發生。

5、防止膜特性下降。

本發明的一方式所涉及的濺射裝置為通過濺射法在被處理基板上進行成膜的裝置，包括：真空腔室；靶，設置在位于所述真空腔室內的陰極的表面上；基板保持部，以與所述靶相對的方式設置于所述真空腔室內，在所述基板保持部上設置被處理基板；和搖動部，用于使所述基板保持部相對于所述靶能夠搖動，所述基板保持部中的所述被處理基板的搖動區域被設定為小于所述靶的濺蝕區域。

在本發明的一方式所涉及的濺射裝置中，所述基板保持部也可以具備縱防著板，所述縱防著板配置在所述被處理基板的在所述基板保持部的搖動方向上的兩端位置且沿與所述搖動方向交叉的方向延伸。