[發(fā)明專利]電容器和制備電容器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880002918.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN111615751B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸斌;沈健
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92
• 代理公司: 北京龍雙利達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329
• 代理人: 孫濤;毛威

1.一種電容器，其特征在于，包括：

電極層，包括相互分離的第一電極和第二電極；

疊層結(jié)構(gòu)，包括n層電介質(zhì)層和n+1層導(dǎo)電層，所述n層電介質(zhì)層和所述n+1層導(dǎo)電層形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)形成至少兩個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)，所述至少兩個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)連通，所述至少兩個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)包括一個(gè)第一柱狀結(jié)構(gòu)和至少兩個(gè)第二柱狀結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柱狀結(jié)構(gòu)的尺寸大于所述第二柱狀結(jié)構(gòu)的尺寸，n為正整數(shù)；

互聯(lián)結(jié)構(gòu)，用于將所述n+1層導(dǎo)電層中的奇數(shù)層導(dǎo)電層電連接至所述第一電極，將所述n+1層導(dǎo)電層中的偶數(shù)層導(dǎo)電層電連接至所述第二電極，所述互聯(lián)結(jié)構(gòu)在所述第一柱狀結(jié)構(gòu)的頂端與所述n+1層導(dǎo)電層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述第二柱狀結(jié)構(gòu)的深寬比大于預(yù)定閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述互聯(lián)結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)在所述疊層結(jié)構(gòu)的下方與所述n+1層導(dǎo)電層的部分導(dǎo)電層連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，所述疊層結(jié)構(gòu)設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)，所述互聯(lián)結(jié)構(gòu)通過所述臺階結(jié)構(gòu)與所述n+1層導(dǎo)電層連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)為長方體結(jié)構(gòu)或圓柱體結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，所述電容器還包括：

絕緣層，設(shè)置于所述疊層結(jié)構(gòu)的上方以及下方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，所述互聯(lián)結(jié)構(gòu)為穿過所述絕緣層分別連接至所述n+1層導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，n大于或等于5。

9.一種制備電容器的方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備多個(gè)孔或溝槽，得到第一結(jié)構(gòu)；

在所述第一結(jié)構(gòu)上制備第一疊層結(jié)構(gòu)，其中，所述第一疊層結(jié)構(gòu)包括m 層電介質(zhì)層和m+1層導(dǎo)電層，所述m層電介質(zhì)層和所述m+1層導(dǎo)電層形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的結(jié)構(gòu)，m為正整數(shù)；

在所述第一疊層結(jié)構(gòu)上制備第一絕緣層，得到第二結(jié)構(gòu)；

將所述第二結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)；

去除所述襯底，露出所述第一疊層結(jié)構(gòu)；

在所述第一疊層結(jié)構(gòu)上制備第二疊層結(jié)構(gòu)，其中，所述第二疊層結(jié)構(gòu)包括k層電介質(zhì)層和k層導(dǎo)電層，所述k層電介質(zhì)層和所述k層導(dǎo)電層形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的結(jié)構(gòu)，且與所述第一疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)在孔或溝槽處形成柱狀結(jié)構(gòu)，k為正整數(shù)；

在所述第二疊層結(jié)構(gòu)上制備第二絕緣層；

制備第一電極和第二電極，其中，所述第一電極電連接至m+k+1層導(dǎo)電層中的奇數(shù)層導(dǎo)電層，所述第二電極電連接至所述m+k+1層導(dǎo)電層中的偶數(shù)層導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)孔或溝槽包括第一孔或溝槽以及第二孔或溝槽，所述第一孔或溝槽的尺寸大于所述第二孔或溝槽的尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二孔或溝槽的深寬比大于預(yù)定閾值。

12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述第一結(jié)構(gòu)上制備第一疊層結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包括：

在所述第一結(jié)構(gòu)上制備刻蝕保護(hù)層；

其中，所述去除所述襯底，露出所述第一疊層結(jié)構(gòu)，包括：

去除所述襯底，露出所述刻蝕保護(hù)層，再去除所述刻蝕保護(hù)層，露出所述第一疊層結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述將所述第二結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)之前，所述方法還包括：

將所述第一絕緣層的表面磨平。