[發(fā)明專利]配備利用垂直面蒸發(fā)源的高清晰AMOLED元件的集群量產(chǎn)設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880000412.1 | 申請日: | 2018-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN110214383A | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃昌勛;金圣洙;方新雄 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社OLEDON |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/67;H01L21/68;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 金玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍 蒸發(fā)源 量產(chǎn) 細微圖案 集群 有機薄膜 垂直面 高清晰 掩模 薄膜 配備 方向轉(zhuǎn)換設(shè)備 整體生產(chǎn)成本 空轉(zhuǎn) 大面積基片 高真空環(huán)境 垂直基片 垂直金屬 垂直陰影 連續(xù)作業(yè) 使用效率 掩模產(chǎn)生 陰影現(xiàn)象 有機氣體 高真空 無間斷 有機物 蒸鍍機 下垂 蒸發(fā) 垂直 擴散 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明涉及安裝有可量產(chǎn)高清晰AMOLED薄膜的垂直面蒸發(fā)源蒸鍍機的集群量產(chǎn)設(shè)備,是通過在高真空蒸鍍箱內(nèi)利用垂直蒸發(fā)源在垂直金屬面蒸發(fā)源蒸鍍有機薄膜后,移送至配備垂直基片和垂直陰影掩模的箱體,并將有機薄膜再蒸發(fā)而在基片蒸鍍細微圖案薄膜的配備AMOLED元件的集群量產(chǎn)設(shè)備。本發(fā)明可有效克服基片上蒸鍍細微圖案時因有機氣體擴散而導致的細微圖案蒸鍍困難現(xiàn)象,同時防止大面積基片及掩模產(chǎn)生下垂現(xiàn)象并利用基片與掩模之間的細微空間來大大減少陰影現(xiàn)象,并通過無間斷連續(xù)作業(yè)而縮減空轉(zhuǎn)時間并提高有機物使用效率,同時可持續(xù)維持高真空環(huán)境而大大縮短生產(chǎn)時間,再加上無需面蒸發(fā)源蒸鍍方向轉(zhuǎn)換設(shè)備及工序而具有大幅縮減整體生產(chǎn)成本和時間的同時提升成品生產(chǎn)比例的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及安裝有可量產(chǎn)高清晰AMOLED薄膜的垂直面蒸發(fā)源蒸鍍機的集群量產(chǎn)設(shè)備,更具體地說是在高真空蒸鍍箱內(nèi)利用垂直蒸發(fā)源在垂直金屬面蒸發(fā)源蒸鍍有機薄膜后,移送至配備垂直基片和垂直陰影掩模的箱體,并將有機薄膜再蒸發(fā)而在基片蒸鍍細微圖案薄膜的配備AMOLED元件的集群量產(chǎn)設(shè)備。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的LCD元件均為另需LED等Back light unit的結(jié)構(gòu),因此制成薄膜型或卷曲形態(tài)方面仍具有一定限制。另外,LCD元件對獲許電場的液晶分子應(yīng)對速度較慢,從而導致反應(yīng)速度慢且視頻驅(qū)動較慢,此外還有另需濾色鏡等結(jié)構(gòu)復(fù)雜、生產(chǎn)工序多等缺點。
作為代替原有LCD元件的新一代顯示器件而備受矚目的AMOLED(Active MatrixOrganic Lighting Emitted Diode),是供應(yīng)電源即可通過有機物質(zhì)發(fā)光的自發(fā)光元件,反應(yīng)速度極快并支持細微圖案結(jié)構(gòu)。另外,AMOLED元件無需濾色鏡與Back light unit,生產(chǎn)工序也十分簡單,同時支持超薄結(jié)構(gòu)而適合生產(chǎn)超薄顯示屏。由于這一特性,AMOLED元件目前正廣泛應(yīng)用于智能手機和大型TV,而且在折疊型和卷曲型顯示屏方面的利用率也較高,目前是韓國、中國、日本等國家競相開發(fā)研究與生產(chǎn)的對象。
AMOLED顯示屏的普遍制作方法為在玻璃基片或PI基片上構(gòu)成TFT后,將電極與多層有機物質(zhì)高真空蒸鍍后再蒸鍍負極電極層,最后封裝完成。其中最為核心的有機薄膜在高真空箱蒸發(fā)有機物粉末后,被蒸發(fā)的有機物分子將貫通細微的陰影掩模或金屬掩模,最后在基片上蒸鍍并形成細微的圖案薄膜。
為了完成如上的高真空熱蒸發(fā)蒸鍍,高真空箱內(nèi)必須具備有機物粉末蒸發(fā)源、基片設(shè)置裝置以及精確排列細微陰影掩模和TFT基片的排列裝置等。另外,金屬掩模(FMM:Fine metal mask)由含鎳的鐵合金因瓦合金(invar)制成,制作工藝為蝕刻或鐳射,為開發(fā)高清晰掩模則需要均勻形成極微小圖案的技術(shù)。不僅如此,還需要排列TFT基片與細微掩模所需的后臺技術(shù)和次微米級精密度調(diào)控技術(shù)。
另外,還需要開發(fā)可在大面積基片上均勻蒸鍍有機薄膜的同時,在對溫度極度敏感的有機分子不受損的前提下進行精密控溫的高真空熱蒸鍍技術(shù)。不僅如此,因生產(chǎn)用蒸鍍機連接幾十個高真空箱而使用,還需具備維持高真空環(huán)境的零部件和箱體設(shè)計、生產(chǎn)技術(shù)以及防險技術(shù)和自動化技術(shù)。
尤其是,智能手機用AMOLED元件的清晰度約達600ppi,而利用量子點(QuantumDot)物質(zhì)無法實現(xiàn)高清晰,因此諸多國家正在提高AMOLED清晰度方面展開著激烈角逐,由此可以判斷AMOLED元件的全盛時代將長期維持。另外,VR市場也具有短程視距方面的需求,從而加深了高清晰顯示器件開發(fā)的需求度。例如,AMOLED的清晰度達2250ppi才能迎來VR時代的全盛期,而目前還不存在可生產(chǎn)清晰度達2250ppi的AMOLED生產(chǎn)設(shè)備開發(fā)技術(shù),這說明對可量產(chǎn)超高清晰AMOLED元件的生產(chǎn)設(shè)備及工程技術(shù)的需求十分迫切。
圖1是生產(chǎn)清晰度為600ppi的AMOLED元件的現(xiàn)有AMOLED薄膜生產(chǎn)蒸鍍技術(shù)的舉例說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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