[實用新型]多晶硅鑄錠熱場結構、多晶硅鑄錠爐和多晶硅錠

有效

• 申請號: 201822270470.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209468525U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 李建敏;付志斌;周成;何亮
• 申請（專利權）人: 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本實用新型提供了一種多晶硅鑄錠熱場結構，包括坩堝、熱交換臺、護板、加熱器和隔熱籠，所述坩堝設于所述熱交換臺上，所述坩堝的外圍依次套設所述護板和所述加熱器，所述坩堝、所述熱交換臺、所述護板和所述加熱器均設于所述隔熱籠內，所述坩堝截面形狀為正N邊形，N為10?30的正整數。該多晶硅鑄錠熱場結構可以有效改善坩堝中角部的溫度分布，避免熱量不均勻致使對流不佳，大大提升制得的多晶硅塊的質量。本實用新型還包括多晶硅鑄錠爐和多晶硅錠。

技術領域

本實用新型涉及多晶硅錠技術領域，特別是涉及一種多晶硅鑄錠熱場結構、多晶硅鑄錠爐和多晶硅錠。

背景技術

據統計，太陽電池產業是近幾年發展最快的產業之一，并且在各種類型的太陽電池中，晶體硅太陽電池由于其轉換效率高，技術成熟而繼續保持領先地位。目前，晶體硅主要是通過現有多晶硅鑄錠爐進行鑄錠。

為保證取得硅塊的數量最多，現有多晶硅鑄錠爐采用方形結構，熱場結構及加熱器均為正方結構，所得硅錠即為方形。然而由于角部為垂直形狀，硅液在角部對流產生死角，易產生雜質聚集，同時角部的升溫降溫控制更差，晶體生長更得不到有序控制，影響多晶硅塊的質量。

因此，有必要開發一種能夠有效制備高質量多晶硅的裝置。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種多晶硅鑄錠熱場結構、多晶硅鑄錠爐和多晶硅錠；該多晶硅鑄錠熱場結構可以有效改善坩堝中角部的溫度分布，避免熱量不均勻致使對流不佳，大大提升制得的多晶硅的質量。

第一方面，本實用新型提供了一種多晶硅鑄錠熱場結構，包括坩堝、熱交換臺、護板、加熱器和隔熱籠，所述坩堝設于所述熱交換臺上，所述坩堝的外圍依次套設所述護板和所述加熱器，所述坩堝、所述熱交換臺、所述護板和所述加熱器均設于所述隔熱籠內，所述坩堝截面形狀為正N邊形，N為10-30的正整數。

可選地，所述護板的截面形狀包括正N邊形或圓形，其中，N為10-30的正整數，所述護板與所述坩堝之間的空隙填有石墨軟氈。

可選地，所述加熱器的截面形狀為正N邊形或圓形，其中，N為10-30的正整數。

可選地，所述加熱器包括頂部加熱器和側部加熱器，所述頂部加熱器設置在所述坩堝的頂部，所述側部加熱器設置在所述護板的外圍，所述側部加熱器的的外形呈圓柱形或正N棱柱形。

可選地，所述隔熱籠由頂部隔熱板、側部隔熱板和底部隔熱板構成的熱場腔室。

可選地，所述坩堝、所述護板和所述加熱器的截面形狀均為正N邊形，N為10-30的正整數。

可選地，所述坩堝的側壁和所述護板的側壁相互平行，所述坩堝的側壁和所述加熱器的側壁相互平行。

可選地，所述坩堝和所述加熱器的截面形狀均為正N邊形，N為10-30的正整數，所述護板的截面形狀為圓形。

可選地，所述頂部隔熱板上設置有進氣孔和出氣孔。

可選地，所述隔熱籠包括至少一層保溫層。

可選地，所述多晶硅鑄錠熱場結構還包括用于遮蓋所述坩堝的石墨蓋板。

第二方面，本實用新型還提供了一種多晶硅鑄錠爐，包括爐體，以及如本實用新型第一方面所述的多晶硅鑄錠熱場結構。

第三方面，本實用新型還提供了一種的多晶硅錠，所述多晶硅錠的截面形狀為正N邊形，N為10-30的正整數。

可選地，所述多晶硅錠由本實用新型第一方面所述的多晶硅鑄錠熱場結構制備得到或由本實用新型第二方面所述的多晶硅鑄錠爐制備得到。

本實用新型有有益效果：