[實(shí)用新型]一種高精度高可靠Cr-Ni-Au復(fù)合電極熱敏芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822266769.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209118859U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 左艷珍;段兆祥;楊俊;唐黎民;柏琪星 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣東愛(ài)晟電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01C7/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01C7/18;H01C17/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合電極 熱敏陶瓷基片 熱敏芯片 高可靠 本實(shí)用新型 熱敏電阻芯片 冷熱沖擊 鉻層 金層 鎳層 老化 | ||
本實(shí)用新型涉及一種高精度高可靠Cr?Ni?Au復(fù)合電極熱敏芯片,所述熱敏電阻芯片包括熱敏陶瓷基片以及兩個(gè)分別設(shè)于所述熱敏陶瓷基片的兩表面上的復(fù)合電極,所述復(fù)合電極是由鉻層、鎳層和金層從內(nèi)向外依次在所述熱敏陶瓷基片表面上層疊而成。本實(shí)用新型所述的高精度高可靠Cr?Ni?Au復(fù)合電極熱敏芯片具有穩(wěn)定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種高精度高可靠Cr-Ni-Au復(fù)合電極熱敏芯片。
背景技術(shù)
熱敏電阻芯片廣泛應(yīng)用于各種溫度探測(cè)、溫度補(bǔ)償、溫度控制電路中,其在電路中起到將溫度的變量轉(zhuǎn)化成所需的電子信號(hào)的核心作用。
如圖1所示,現(xiàn)有的熱敏電阻芯片包括熱敏陶瓷基片1’以及兩個(gè)分別設(shè)于所述熱敏陶瓷基片1’兩表面上的金屬電極2’,所述金屬電極2’通常為銀電極。現(xiàn)有的熱敏電阻芯片的制備工藝為:熱敏陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結(jié)陶瓷錠→切片→絲網(wǎng)印刷法印刷銀漿→烘干→燒銀→劃切。
然而,使用銀電極和采用絲網(wǎng)印刷法存在以下幾個(gè)問(wèn)題:
1)銀漿在絲網(wǎng)印刷和烘干過(guò)程中容易受到污染,且得到的銀電極本身也容易氧化、發(fā)黃發(fā)黑,造成產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性較差;
2)前期制備銀漿和后期烘干銀漿、燒結(jié)銀電極的工序較為繁瑣;
3)印刷制得的銀電極層厚度較大且在熱敏陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻,在劃切過(guò)程中容易起皮和產(chǎn)生毛刺,銀漿材料損耗較多;
4)銀層在高溫?zé)Y(jié)時(shí)晶型會(huì)重新結(jié)晶,從而性能發(fā)生改變,造成產(chǎn)品電氣性能下降;
5)在高溫?zé)y過(guò)程中排放的氣體對(duì)環(huán)境造成污染。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于此,本實(shí)用新型的目的在于,提供一種高精度高可靠Cr-Ni-Au復(fù)合電極熱敏芯片,其具有穩(wěn)定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案如下:
一種高精度高可靠Cr-Ni-Au復(fù)合電極熱敏芯片,包括熱敏陶瓷基片以及兩個(gè)分別設(shè)于所述熱敏陶瓷基片的兩表面上的復(fù)合電極,所述復(fù)合電極是由鉻層、鎳層和金層從內(nèi)向外依次在所述熱敏陶瓷基片表面上層疊而成。
本實(shí)用新型的熱敏電阻芯片采用Cr-Ni-Au復(fù)合電極,其中鉻層(Cr)作為過(guò)渡層,主要起過(guò)渡作用,既能與熱敏陶瓷基片很好地結(jié)合,又起到一定的阻擋作用;鎳層(Ni)作為阻擋層,用于阻擋外界對(duì)過(guò)渡層的破壞,并具有焊接作用;金層(Au)既是焊接層,也是保護(hù)層,其穩(wěn)定性高,能防止氧化、抗腐蝕、防破壞、耐高溫。
本實(shí)用新型將鉻層、鎳層和金層從內(nèi)向外層疊制成熱敏陶瓷基片表面上的復(fù)合電極,能夠有效提升熱敏電阻芯片的穩(wěn)定性、耐溫性、抗腐蝕性、抗破壞性,明顯提高可靠性,還能控制芯片的電極材料成本,制得的高精度高可靠Cr-Ni-Au復(fù)合電極熱敏芯片具有穩(wěn)定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊的優(yōu)點(diǎn)。
進(jìn)一步地,所述鉻層的厚度為0.01~1微米。
進(jìn)一步地,所述鎳層的厚度為0.01~2微米。
進(jìn)一步地,所述金層的厚度為0.01~1微米。
所述復(fù)合電極中,各金屬層的厚度太厚則成本增加,作為過(guò)渡層的鉻層太薄則影響復(fù)合電極與熱敏陶瓷基片的結(jié)合,作為阻擋層的鎳層太薄就起不了阻擋作用,作為焊接層和保護(hù)層的金層太薄則容易外界容易對(duì)阻擋層造成破壞,影響產(chǎn)品的可靠性。
進(jìn)一步地,所述鉻層的厚度為0.2微米,所述鎳層的厚度為0.4微米,所述金層的厚度為0.1微米。各金屬層相應(yīng)選取上述厚度,能夠使產(chǎn)品的電性能和可靠性達(dá)到最佳,同時(shí)有效控制材料成本。
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