[實用新型]管路去氣泡裝置有效
| 申請號: | 201822241564.0 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN209216934U | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 黃景山;張弢;蔣德念 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201315 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去泡器 去氣泡裝置 真空泵 去除 緩存 機臺 電氣執行機構 半導體加工 本實用新型 閥門管路 管路液體 控制流體 流量變動 流體 夾雜 晶圓 停線 廢品 電路 報警 攜帶 占據 | ||
本實用新型提供一種一種管路去氣泡裝置,包含一管路,該管路用以輸送一液體,該液體中帶有一氣體;一去泡器,該去泡器為一容器,用以緩存該液體并將該氣體從該液體中分離、去除;一真空泵,該真空泵與該去泡器連接,用以將該氣體抽除;該去泡器連接在該管路中。并通過連接有控制流體的閥門管路等、控制電氣執行機構的電路等,實現了將管路液體中的攜帶的氣體(形成氣泡)去除,從而使得到達晶圓處的流體成分、流量更加穩定(不因氣泡占據很大的流量),而且減少了半導體加工機臺因流量變動引起的報警,減少由于夾雜氣泡而導致的停線或廢品產生。
技術領域
本實用新型與半導體加工設備臺機有關,特別是管路去氣泡裝置。
背景技術
半導體加工過程中,容易產生一些污染物,如微粒、有機物、金屬、原生氧化物等。需要用化學原料將其清洗掉。目前常用的清洗劑有,硫酸、過氧化氫(也稱雙氧水)、水混合液,氫氧化銨、過氧化氫、水混合液,氯化氫、過氧化氫、水混合液等。以上各種溶液均包含一些容易產生氣體的成分,且為了混合均勻通常需要采用氮氣來對溶液進行混合。
在銅電鍍時,整片硅片都被鍍上了一層銅膜。為了防止在隨后的化學機械研磨工藝時,硅片邊緣的銅膜不容易磨掉甚至發生銅膜脫落,所以一定要對硅片邊緣的銅膜進行清洗腐蝕掉。不同的產品需要洗掉的銅膜寬度也不一樣。每次洗邊的化學品的用量也很少,所以管路較細,一旦有氣泡就會嚴重影響洗邊的效果,甚至會引起流量開關報警,導致機臺停機,從而使產品受到影響或報廢。由于雙氧水稀釋攪拌用氮氣,且其本身容易分解產生氣泡。
如何能夠去除管路中的氣泡成為半導體清洗、加工工藝中需要考慮的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種管路去氣泡裝置,主要是為了減少管路中氣泡,能夠避免清洗不充分和因流量問題造成機臺報警等目的。
于是,本實用新型提供一種管路去氣泡裝置,包含:
一管路,該管路用以輸送一液體,該液體中帶有一氣體;
一去泡器,該去泡器為一容器,用以緩存該液體并將該氣體從該液體中分離、去除;
一真空泵,該真空泵與該去泡器連接,用以將該氣體抽除;
該去泡器連接在該管路中。
優選地,該液體包含過氧化氫。
優選地,還包含一鼓泡器,該鼓泡器鼓動混合該液體。
優選地,該鼓泡器連接一氮氣,該氮氣鼓動混合該液體。
優選地,還包含一氣動隔膜泵,該氣動隔膜泵與該管路相連,用以將該液體輸送到噴灑位置。
優選地,還包含一閥門一,該閥門一連接在該去泡器和該真空泵之間。
優選地,該氣動隔膜泵包含一開關控制電路一。
優選地,該閥門一包含一開關控制電路二。
優選地,還包含一氣動隔膜泵,該氣動隔膜泵包含一開關控制電路一,該開關控制電路一和該開關控制電路二之間電路連接。用以實現當該開關控制電路一開啟時,該開關控制電路二開啟,當該開關控制電路一關閉時,該開關控制電路二關閉。
優選地,還包含一選擇開關,該真空泵包含一電機一和一開關控制電路三,該氣動隔膜泵包含一電機二,該閥門一包含一電磁鐵一,該開關控制電路一包含一線圈一和一常開觸點一,該開關控制電路二包含一線圈二和一常開觸點二,該開關控制電路三包含一線圈三和一常開觸點三,該選擇開關、該線圈一、該線圈二和該線圈三串聯連接至控制電源兩端,該常開觸點一連接該電機二,該常開觸點二連接該電磁鐵一,該常開觸點三連接該電機一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





