[實用新型]一種TFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822240052.2
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209374452U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉奕晨
• 申請（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 孫濤濤

1.一種TFET器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底層(1)、第一外延層(2)、第二外延層(3)、柵極層(4)、源區(qū)(5)、漏區(qū)(6)和壓應(yīng)變層(7)；其中，

所述第一外延層(2)和所述第二外延層(3)依次設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底層(1)表面；所述第二外延層(3)為脊狀結(jié)構(gòu)，所述柵極層(4)設(shè)置于所述第二外延層(3)脊狀結(jié)構(gòu)的頂面，所述壓應(yīng)變層(7)設(shè)置于所述第二外延層(3)脊狀結(jié)構(gòu)的臺階上表面且緊挨脊狀部分，所述源區(qū)(5)和所述漏區(qū)(6)位于所述第二外延層(3)脊狀結(jié)構(gòu)的臺階內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底層(1)為N型單晶硅，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一外延層(2)為厚度為200～300nm的N型輕摻雜Ge層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二外延層(3)為厚度為120～200nm的N型摻雜的GeSn層，摻雜濃度為1×10¹⁵cm^-2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述壓應(yīng)變層(7)的材料為SiGe材料，厚度與所述第二外延層(3)為脊狀結(jié)構(gòu)的臺階高度一致。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其特征在于，所述壓應(yīng)變層(7)的厚度為10～20nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述源區(qū)(5)的摻雜離子為P⁺離子，摻雜濃度為3×10¹⁹cm^-2；所述漏區(qū)(6)的摻雜離子為BF₂⁺離子，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-2。