[實用新型]一種電池片的處理系統

有效

• 申請號: 201822233769.4
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209357744U
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 郁操;劉春梅
• 申請（專利權）人: 君泰創新(北京)科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

本實用新型公開了一種電池片的處理系統，包括容器、支架、檢測裝置和腐蝕液，所述容器用于盛放腐蝕液，所述支架設置在所述容器內，所述支架用于承載電池片，且使所述電池片的繞鍍端浸入所述腐蝕液；所述檢測裝置用于檢測所述電池片的繞鍍端浸入所述腐蝕液的深度。電池參數不良的電池片通過該處理系統，能夠成功去除電池片邊緣繞鍍引起的漏電區域，且不會造成電池片本身的外觀不良問題。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，特別是指一種電池片的處理系統。

背景技術

SHJ電池片(Silicon Hetero-junction Solar Cell，硅異質結太陽能電池片，簡稱異質結電池片)的基本結構如圖1所示，包含單晶硅片1a、本征非晶硅基薄膜層2a、n型摻雜層3a、p型發射極4a、透明導電薄膜層5a和電極柵線6a(通常包括主柵線和細柵線)。其中，單晶硅片1a可以是n型或者p型單晶硅片，厚度為90-300μm；本征非晶硅基薄膜層2a，如非晶硅本征層a-Si:H(i)，非晶硅氧本征層a-SiOx:H(i)，非晶硅碳本征層a-SiCx:H(i)等，厚度<15nm；n型摻雜層3a，如n型非晶硅層a-Si:H(n)，n型非晶硅氧層a-SiOx:H(n)，n型微晶硅氧層μc-SiOx:H(n)等，厚度<25nm；p型摻雜層4a，如p型非晶硅層a-Si:H(p)，p型微晶硅層μc-SiOx:H(p)，p型微晶硅氧層μc-SiOx:H(p)等，厚度<25nm；可選的，3a和4a的位置可以置換。即：如果3a為p型摻雜層，則4a為n型摻雜層；透明導電薄膜層5a，如摻錫的氧化銦薄膜ITO、摻鎢的氧化銦薄膜IWO、摻銫的氧化銦薄膜ICO、摻鋁的氧化鋅薄膜AZO等，厚度控制在70-100nm；可選的，在透明電導氧化物層5a上面增設一層減反射層；電極柵線6a，可以是絲網印刷Ag電極或者電鍍Cu電極等。

現有技術中，電池片IV測試之后會采用紅外成像儀對電池片進行分選，發現某些SHJ電池片紅外成像邊緣漏電，此類SHJ電池片做成組件后，在光照條件下，會在漏電處擊穿，引起嚴重電池參數不良和外觀不良。在生產線上，此類電池片會被定義為報廢品。

實用新型內容

針對現有技術的不足之處，本實用新型的目的是提出一種電池片的處理系統。電池參數不良的電池片通過該處理系統，能夠成功去除電池片邊緣繞鍍引起的漏電區域，且不會造成電池片本身的外觀不良問題。

基于上述目的，本實用新型提供的一種電池片的處理系統，包括容器、支架、腐蝕液和檢測裝置，所述容器用于盛放腐蝕液，所述支架設置在所述容器內，所述支架用于承載電池片，且將所述電池片的繞鍍端浸入所述腐蝕液；

所述檢測裝置用于所述電池片的繞鍍端浸入所述腐蝕液的深度。

在本實用新型的一些實施例中，所述支架包括立板、側立板和多個隔離板，兩個所述側立板的相對面上均對應設有等間距排列的隔離板，相鄰所述隔離板之間形成齒槽，所述電池片同時與兩個相對的所述齒槽插接。

在本實用新型的一些實施例中，所述隔離板遠離所述側立板的一側設置有倒角。

在本實用新型的一些實施例中，沿所述電池片的邊緣設置一周輔助電極柵線。

在本實用新型的一些實施例中，所述輔助電極柵線到所述電池片邊緣的距離為1-2mm。

在本實用新型的一些實施例中，還包括加熱件，所述加熱件設置在所述容器的底部，用于對所述腐蝕液進行加熱。

在本實用新型的一些實施例中，所述加熱件為加熱絲，所述加熱絲的外部設置有耐腐蝕層。

在本實用新型的一些實施例中，所述處理系統還包括控制器，所述控制器與所述檢測裝置電連接。

在本實用新型的一些實施例中，所述支架和所述容器的材質為聚偏氟乙烯(PVDF)或聚丙烯(PP)。