[發明專利]一種減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法有效
| 申請號： | 201210047390.9 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN102593003A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 俞柳江 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 半導體器件 誘導 泄漏 方法 | ||
1.一種減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法，其特征在于，包括下列步驟：
在一已完成兩側淺溝槽隔離工藝的襯底上生長一層側墻薄膜；
對源漏極上方的側墻薄膜從朝向于源極的入射點進行與豎直方向形成一定角度的離子注入；
對側墻薄膜進行刻蝕，在半導體器件的柵極上形成側墻，調節側墻刻蝕菜單以使得刻蝕后的側墻源極的寬度減小，漏極的寬度增大；
進行源漏重摻雜以及退火工藝。
2.如權利要求1所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，對源漏極上方的側墻薄膜進行離子注入的離子為氙離子或者鍺離子。
3.如權利要求2所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，在45nm?CMOS器件工藝中，側墻刻蝕前采用鍺元素對源漏極上方的側墻薄膜進行離子預注入。
4.如權利要求1所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，在襯底源極與柵極的交界處、以及漏極與柵極的交界處分別具有低摻雜源漏區。
5.如權利要求1所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，對源漏極上方的側墻薄膜進行的離子注入與豎直方向形成的角度范圍為15度到30度。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，所述側墻薄膜為氧化硅或者氮化硅薄膜。
7.如權利要求1至5中任意一項所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄露的方法，其特征在于，對側墻薄膜進行刻蝕采用干法刻蝕。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
