[實用新型]大尺寸碳化硅晶體生長裝置

有效

• 申請號: 201822198340.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN209522952U
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 戚祖強;肖錦先;李海軍;盧萬佳;黃金平;劉勇;汪志超
• 申請（專利權）人: 戚祖強
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 深圳市明日今典知識產權代理事務所(普通合伙) 44343
• 代理人: 王杰輝;梁悄

1.一種大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，包括真空腔室、感應線圈和坩堝；所述真空腔室位于感應線圈內的中央位置；所述坩堝位于真空腔室中心位置；所述坩堝包括坩堝體和坩堝上蓋，所述坩堝上蓋蓋合于所述坩堝體頂部；所述坩堝上蓋下方設置有上蓋籽晶托，所述上蓋籽晶托位于所述坩堝體和所述坩堝上蓋蓋合的范圍內，所述上蓋籽晶托位于所述坩堝體的頂部；所述感應線圈用于加熱所述坩堝，所述感應線圈在所述碳化硅晶體生長過程中根據所述碳化硅粉料量的變化控制所述坩堝縱向上的溫度梯度。

2.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述感應線圈為螺旋形感應線圈，所述螺旋形感應線圈各相鄰兩匝的間距從下到上逐漸增大。

3.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述感應線圈為螺旋形感應線圈，所述螺旋形感應線圈分上螺旋形感應線圈和下螺旋形感應線圈；所述下螺旋形感應線圈與所述上螺旋形感應線圈一體連接，所述下螺旋形感應線圈的縱向長度占整個所述螺旋形感應線圈的1-50％；所述上螺旋形感應線圈各相鄰兩匝的間距從下到上逐漸增大，所述下螺旋形感應線圈每相鄰兩匝的間距相等且小于上螺旋形感應線圈相鄰兩匝之間的最小間距。

4.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述感應線圈包括多個子感應線圈，所述多個子感應線圈從上到下依次設置，各所述子感應線圈的加熱功率分別控制。

5.根據權利要求4所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，各所述子感應線圈之間在縱向上相對位置可調。

6.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述坩堝上蓋的邊緣設有一個或多個通孔。

7.根據權利要求6所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述通孔直徑為2-5mm。

8.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述真空腔室內設有保溫石墨氈，所述保溫石墨氈圍繞所述坩堝四周設置。

9.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述大尺寸碳化硅晶體生長裝置還包括抽真空孔和抽真空管道；所述抽真空管道通過所述抽真空孔與所述真空腔室連通。

10.根據權利要求1所述的大尺寸碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述真空腔室的頂部中心和底部中心分別設有上測溫孔和下測溫孔。