[發(fā)明專利]一種采用陽(yáng)極氧化后的納米凹坑來(lái)誘導(dǎo)中高壓陽(yáng)極箔均勻腐蝕發(fā)孔的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110658748.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-06-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113436891A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭寧;李永釗;徐桂仁;王盼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 桂林理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01G9/055 | 分類號(hào)： | H01G9/055;H01G9/042;H01G9/045 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 采用 陽(yáng)極 氧化 納米 凹坑來(lái) 誘導(dǎo) 高壓 均勻 腐蝕 方法 | ||
1.一種采用陽(yáng)極氧化后的納米凹坑來(lái)誘導(dǎo)中高壓陽(yáng)極箔均勻腐蝕發(fā)孔的方法，其特征在于，將表面不富集電極電位比鋁高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，純度為99.99％，經(jīng)充分退火后其{100}立方織構(gòu)占有率超過(guò)95％的高純中高壓鋁箔采用陽(yáng)極氧化在鋁箔表面生成有序多孔分布的氧化鋁膜；然后溶解氧化鋁膜并暴露出鋁箔基體上高度有序分布的納米凹坑，利用該凹坑來(lái)調(diào)控鋁箔腐蝕發(fā)孔時(shí)的隧道孔形核位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用陽(yáng)極氧化后的納米凹坑來(lái)誘導(dǎo)中高壓陽(yáng)極箔均勻腐蝕發(fā)孔的方法，其特征在于，將表面不富集電極電位比鋁高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，純度為99.99％，經(jīng)充分退火后其{100}立方織構(gòu)占有率超過(guò)95％的高純中高壓鋁箔在5～10℃濃度為2～5Wt.％的酒石酸或2～5Wt.％酒石酸+1～10Wt.％乙二醇+0.1～1Wt.％磷酸混合溶液中陽(yáng)極氧化10～60秒，其中陽(yáng)極氧化電壓為200～230V，在鋁箔表面生成有序多孔分布的氧化鋁膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種采用陽(yáng)極氧化后的納米凹坑來(lái)誘導(dǎo)中高壓陽(yáng)極箔均勻腐蝕發(fā)孔的方法，其特征在于，將上述制備有序多孔氧化鋁膜的鋁箔在30～70℃溶液為0.1～5Wt.％的硫酸中陰極極化、或在60～90℃溶液為0.1～5Wt.％的碳酸氫鈉中浸泡處理，去除表面多孔氧化鋁膜并暴露出鋁箔基體上高度有序分布的納米凹坑，利用該凹坑來(lái)調(diào)控鋁箔腐蝕發(fā)孔時(shí)的隧道孔形核位置，獲得近似有序分布的隧道孔。
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