[實用新型]組合傳感器有效
| 申請號: | 201822062344.1 | 申請日: | 2018-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN209161474U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 楊軍偉;王德信;潘新超;端木魯玉;邱文瑞 | 申請(專利權)人: | 歌爾科技有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 266104 山東省青島*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片組 組合傳感器 接地端 基板 本實用新型 靜電 電連接 抗靜電能力 最大程度地 電荷 封裝 | ||
本實用新型公開了一種組合傳感器,所述組合傳感器包括:基板,所述基板設有至少兩個接地端,各所述接地端之間電連接;以及芯片組,所述芯片組的數量至少為兩個,所述芯片組安裝至所述基板,所述芯片組和所述接地端一一對應電連接。本實用新型技術方案使得每個芯片組可利用的接地端面積達到封裝面積的最大值,這樣有利于快速導走靜電的電荷,從而最大程度地保護了芯片組免受靜電的沖擊,有效提升組合傳感器的抗靜電能力。
技術領域
本實用新型涉及傳感器技術領域,特別涉及一種組合傳感器。
背景技術
將多個MEMS器件和ASIC器件集成封裝時,需要形成多個GND(接地端),相比于單個MEMS器件和ASIC器件,相同封裝面積下每個器件電路的接地面積變小。多個MEMS器件和ASIC器件封裝形成組合傳感器,在組合傳感器受到靜電作用時,接地面積越小,靜電攜帶的電荷被導走所用的時間越長,各器件受到靜電高壓的沖擊就越大,也就是組合傳感器就越容易被靜電擊穿,造成不可逆的損壞。
實用新型內容
本實用新型的主要目的是提出一種組合傳感器,旨在提升組合傳感器的抗靜電能力。
為實現上述目的,本實用新型公開了一種組合傳感器,所述組合傳感器包括:
基板,所述基板設有至少兩個接地端,各所述接地端之間電連接;以及
芯片組,所述芯片組的數量至少為兩個,所述芯片組安裝至所述基板,所述芯片組和所述接地端一一對應電連接。
在本實用新型的一實施例中,所述基板設有金屬走線,所述金屬走線電連接各所述接地端。
在本實用新型的一實施例中,所述芯片組包括MEMS芯片和ASIC芯片,所述MEMS芯片和所述ASIC芯片安裝至所述基板,所述MEMS芯片與所述ASIC芯片電連接,所述ASIC芯片與所述接地端電連接。
在本實用新型的一實施例中,至少一個所述MEMS芯片為麥克風芯片。
在本實用新型的一實施例中,所述基板設有聲孔,至少一個所述麥克風芯片覆蓋所述聲孔。
在本實用新型的一實施例中,所述組合傳感器還包括罩殼,所述罩殼設于所述基板,與所述基板限定出封裝腔;
所述芯片組設于所述封裝腔。
在本實用新型的一實施例中,所述基板緊鄰所述封裝腔的一面為上表面,背離所述封裝腔的一面為下表面,所述接地端設于所述基板的下表面。
在本實用新型的一實施例中,所述基板設有金屬化過孔,所述芯片組和所述接地端分別與所述金屬化過孔電連接。
在本實用新型的一實施例中,所述組合傳感器還包括罩殼,所述罩殼設于所述基板,與所述基板限定出封裝腔;
所述MEMS芯片設于所述封裝腔,所述ASIC芯片設于所述基板內。
在本實用新型的一實施例中,所述接地端形成焊盤;
和/或,所述基板為電路板。
本實用新型技術方案包括基板和芯片組,芯片組安裝在基板上,且與設置在基板上的接地端電連接,在封裝多個芯片組時,基板上設置與芯片組數量相適應的接地端,各接地端之間實現電連接,從而使得每個芯片組可利用的接地端面積達到封裝面積的最大值,這樣有利于快速導走靜電的電荷,從而最大程度地保護了芯片組免受靜電的沖擊,有效提升組合傳感器的抗靜電能力。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。
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