[實用新型]閃存單元、閃存模塊以及閃存芯片有效
| 申請號： | 201821984477.8 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN209103825U | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 王紹迪 | 申請（專利權）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可編程半導體器件 模擬電容 閃存單元 臨時數據 閃存模塊 閃存芯片 存儲 本實用新型 并聯連接 單元存儲 有效減少 擦寫 長時 老化 | ||
1.一種閃存單元，其特征在于，包括：用于存儲長時數據的可編程半導體器件以及用于存儲臨時數據的模擬電容單元，所述可編程半導體器件與所述模擬電容單元并聯連接。
2.根據權利要求1所述閃存單元，其特征在于，所述模擬電容單元包括：輸出晶體管、充電晶體管、放電晶體管以及電容；
所述輸出晶體管的漏極連接所述可編程半導體器件的漏極，源極連接所述可編程半導體器件的源極，柵極連接所述電容的一端；
所述充電晶體管的源極連接高電壓，柵極連接第一控制電壓，漏極連接所述電容的另一端；
所述放電晶體管的源極連接低電壓，柵極連接第二控制電壓，漏極連接所述電容的另一端。
3.根據權利要求2所述閃存單元，其特征在于，還包括：編程電路，
所述編程電路連接所述充電晶體管的柵極和/或所述放電晶體管的柵極，用于向所述充電晶體管以及放電晶體管提供所述第一控制電壓和/或所述第二控制電壓。
4.根據權利要求3所述閃存單元，其特征在于，所述編程電路還連接所述可編程半導體器件，用于向所述可編程半導體器件提供編程電壓。
5.根據權利要求4所述閃存單元，其特征在于，所述編程電路包括：電壓產生電路和電壓控制電路，所述電壓產生電路用于產生所述第一控制電壓和/或所述第二控制電壓和/或所述編程電壓，所述電壓控制電路用于將所述電壓產生電路產生的電壓加載至對應的充電晶體管和/或放電晶體管和/或可編程半導體器件。
6.一種閃存模塊，其特征在于，包括多個呈陣列布置的如權利要求1至2任一項所述閃存單元。
7.一種閃存芯片，其特征在于，包括：多個閃存模塊；每個閃存模塊均包括呈陣列布置的多個如權利要求1至2任一項所述閃存單元。
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