[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201821957701.4
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN209119110U
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 李華;崔香丹

提供一種半導體器件包括形成在基底上的溝槽，和填充在所述溝槽中、從所述溝槽底部向外依次設置的第一電介質層、第二電介質層；其中，所述第一電介質層在溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的1/7至1/3處，所述第二電介質層在溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的2/3處。本實用新型的半導體器件，分步形成電介質層因而釋放固化時產生的應力，從而不會在導致應力過于集中，進而避免有源區域倒塌的發生。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件制備技術領域，特別是涉及一種包括淺溝槽隔離結構的半導體器件。

背景技術

在半導體制造工藝中，經常需要形成溝槽填充的結構，例如在淺溝槽隔離結構中，溝槽內填充氧化物，形成各器件有源區之間的隔離。

隨著半導體特征尺寸的減小，溝槽深寬比(Aspect ratio)的增加，以及對于溝槽輪廓(Re-entrant profiles)要求的提高，傳統的化學氣相沉積(CVD)工藝已難以勝任溝槽填充的工作，目前較多采用旋涂介電層(SOD)或流體化學氣相沉積(FCVD)工藝在溝槽內沉積可流動的填充物，然后通過退火等熱處理工藝對填充物進行固化，可以實現溝槽的完全填充。但可流動電介質在固化時，會產生應力增加，可能會導致形成的有源區域倒塌，造成相鄰存儲單元的短路。

實用新型內容

為了解決上述缺陷，本實用新型提供一種半導體器件，解決現有技術中可流動電介質固化時出現的有源區域倒塌而產生存儲單元短路的問題。

本實用新型一方面提供一種半導體器件，包括形成在基底上的溝槽，和填充在所述溝槽中、從所述溝槽底部向外依次設置的第一電介質層、第二電介質層和第三電介質層；其中，所述第一電介質層在溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的1/7至1/3處，所述第二電介質層在溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的2/3處。

根據本實用新型一實施方式，在所述基底表面還設置有第一介電層和第二介電層。

根據本實用新型的另一實施方式，所述第一介電層和第二介電層包括氧化硅、氮化硅，氮氧化硅和碳氮硅中的一種或多種。

根據本實用新型的另一實施方式，所述基底包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅和砷化鎵中的一種或多種。

根據本實用新型的另一實施方式，溝槽內還設置第三電介質層，所述第三電介質層設置于所述第二電介質層上且填滿所述溝槽。

根據本實用新型的另一實施方式，所述第一電介質層、所述第二電介質層和所述第三電介質層包括硅氧化物。

根據本實用新型的另一實施方式，所述溝槽內還設置于內襯層。

根據本實用新型的另一實施方式，所述內襯層包括氮化硅。

根據本實用新型的另一實施方式，所述溝槽的深寬比為15:1-30:1。

根據本實用新型的另一實施方式，所述溝槽的深寬比為20:1-30:1。

本實用新型的半導體器件，本實用新型的半導體器件，分步形成電介質層因而釋放固化時產生的應力，從而不會在導致應力過于集中，進而避免有源區域倒塌的發生。本實用新型的半導體器件適用于高深寬比的溝槽，例如深寬比為15:1-30:1的溝槽。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本實用新型的上述和其它特征及優點將變得更加明顯。

圖1A至圖1H是本實用新型一實施例的半導體器件的制備流程圖。

圖1I是本實用新型一實施例的半導體器件的截面示意圖。

圖2A至圖2G是本實用新型另一實施例的半導體器件的制備流程圖。