[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201821957701.4 | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN209119110U | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 李華;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質層 半導體器件 本實用新型 依次設置 源區域 基底 固化 填充 倒塌 釋放 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括形成在基底上的溝槽，和填充在所述溝槽中、從所述溝槽底部向外依次設置的第一電介質層、第二電介質層；
其中，所述第一電介質層在所述溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的1/7至1/3處，所述第二電介質層在所述溝槽中的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的2/3以上。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在所述基底表面還設置有第一介電層和第二介電層。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介電層和第二介電層包括氧化硅、氮化硅，氮氧化硅和碳氮硅中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基底包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅和砷化鎵中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，溝槽內還設置第三電介質層，所述第三電介質層設置于所述第二電介質層上且填滿所述溝槽。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電介質層、所述第二電介質層和所述第三電介質層包括硅氧化物。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽內還設置于內襯層。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述內襯層包括氮化硅。
9.根據權利要求1-8任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽的深寬比為15:1-30:1。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽的深寬比為20:1-30:1。
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