[實用新型]一種倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201821935732.X
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN209199975U
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 張威;劉麗;戴廣超;龍曉陽;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/22;H01L33/62
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本實用新型公開了一種倒裝LED芯片，屬于半導體技術領域。所述倒裝LED芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、一次N型電極、一次P型電極、二次N型電極、二次P型電極、N型焊盤、P型焊盤、絕緣反射層和絕緣層；絕緣反射層設置在P型半導體層上和第一凹槽內，絕緣反射層上設有延伸至一次N型電極的第一通孔和延伸至一次P型電極的第二通孔；二次N型電極和二次P型電極間隔設置在絕緣反射層上，二次N型電極通過第一通孔與一次N型電極連接，二次P型電極通過第二通孔與一次P型電極連接；二次N型電極和二次P型電極均包括金屬反射層。本實用新型可提高芯片的發光亮度。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種倒裝LED芯片。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種可以把電能轉化成光能的半導體二極管。LED作為一種新型發光器件，技術發展迅速、應用領域廣泛、產業帶動性強、節能潛力大，符合低碳的生態經濟要求和當代新興產業的發展趨勢。與傳統電氣照明相比，LED照明具有節能、環保、長壽、高效等優點，是各國公認的最有發展前景的高效照明產業。

LED的心臟是一個半導體的晶片，稱為LED芯片。LED芯片按照封裝方式的不同，可以劃分為正裝結構、倒裝結構和垂直結構。與傳統正裝結構芯片相比，倒裝結構芯片具有大電流、高可靠性和使用簡便的特點，目前已得到大規模應用。

倒裝LED芯片包括襯底、N型半導體層、發光層、P型半導體層、P型電極、N型電極、N型焊盤、P型焊盤、絕緣層和反射層。N型半導體層、發光層和P型半導體層依次層疊在襯底上，P型半導體層上設有延伸至N型半導體層的凹槽。N型電極設置在凹槽內的N型半導體層上，P型電極設置在P型半導體層上。絕緣層和反射層依次設置在P型半導體層上除P型電極的設置區域之外的區域、以及凹槽內除N型電極的設置區域之外的區域，絕緣層上設有延伸至N型電極的第一通孔及延伸至P型電極的第二通孔，N型焊盤通過第一通孔與N型電極連接，P型焊盤通過第二通孔與P型電極連接。

在實現本實用新型的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

絕緣層通常為單層透明氧化物薄膜，如二氧化硅薄膜，以在實現電氣隔離的情況下，盡可能減小對光的吸收。二氧化硅薄膜等雖然吸收的光線很少，但是隨著電極層數的增多，芯片內部設置的絕緣層數量也相應增多，絕緣層吸光的光線也越來越多，影響到芯片的發光亮度。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種倒裝LED芯片，能夠解決現有技術絕緣層吸收光線，降低芯片發光亮度的問題。所述技術方案如下：

本實用新型實施例提供了一種倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、一次N型電極、一次P型電極、二次N型電極、二次P型電極、N型焊盤、P型焊盤、絕緣反射層和絕緣層；

所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的第一凹槽；所述一次N型電極設置在所述第一凹槽內的N型半導體層上，所述一次P型電極設置在所述P型半導體層上；

所述絕緣反射層設置在所述P型半導體層上和所述第一凹槽內，所述絕緣反射層上設有延伸至所述一次N型電極的第一通孔和延伸至所述一次P型電極的第二通孔；所述二次N型電極和所述二次P型電極間隔設置在所述絕緣反射層上，所述二次N型電極通過所述第一通孔與所述一次N型電極連接，所述二次P型電極通過所述第二通孔與所述一次P型電極連接；所述二次N型電極和所述二次P型電極均包括金屬反射層；