[實用新型]晶圓和半導體器件有效
| 申請號： | 201821921900.X | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN209087831U | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/77;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 允收測試 電路 介質層 龜裂 半導體器件 保護層材料 襯底 切割 半導體技術領域 芯片 金屬互連層 溝槽填充 緩沖芯片 應力問題 保護層 切割道 良率 種晶 填充 | ||
1.一種晶圓，包括晶粒區域和切割道區域，其特征在于，所述切割道區域包括：
襯底；
介質層，位于遠離所述襯底的一側面上；
晶圓允收測試電路，形成于所述介質層中，所述晶圓允收測試電路包括金屬互連層；
溝槽，形成于所述介質層中位于所述晶圓允收測試電路側部，所述溝槽填充有保護層；
其中，所述溝槽的深度大于等于所述晶圓允收測試電路的深度。
2.根據權利要求1所述的晶圓，其特征在于，所述切割道區域還包括測試焊墊，所述測試焊墊位于介質層上。
3.根據權利要求1所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽包圍所述晶圓允收測試電路。
4.根據權利要求1所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽在垂直于切割方向存在有缺口。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的晶圓，其特征在于，所述保護層包括聚酰亞胺和正硅酸乙酯中的一種或多種。
6.根據權利要求1至4中任意一項所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的寬度為1-10微米，和/或所述溝槽距離所述晶圓允收測試電路的水平距離為1-10微米。
7.根據權利要求1至4中任意一項所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的深度大于所述晶圓允收測試電路的深度超過100nm。
8.根據權利要求1至4中任意一項所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的縱切面呈矩形或倒梯形。
9.根據權利要求1至4中任意一項所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的俯視圖呈矩形、圓形或者橢圓形。
10.根據權利要求9所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的俯視圖呈多層矩形、多層圓形或者多層橢圓形。
11.一種半導體器件，其特征在于，包括根據權利要求1-10中任意一項所述的晶圓。
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