[實(shí)用新型]一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821921880.6 | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN209045601U | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 武良文 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鎵 犧牲層 氮化鎵基LED 襯底 外延結(jié)構(gòu) 化學(xué)剝離 氮化鎵基外延 本實(shí)用新型 保護(hù)層 功能層 去除 弱酸 氮化鎵材料 晶格失配度 外延結(jié)構(gòu)層 弱酸溶液 氮化鎵 高品質(zhì) 高氮 載氣 剝離 生長 | ||
1.一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底、氧化鎵犧牲層、保護(hù)層、氮化鎵基外延功能層；其特征在于：所述氧化鎵犧牲層介于襯底與氮化鎵基外延功能層之間,所述氧化鎵犧牲層上設(shè)置有一個在高氮?dú)浔容d氣環(huán)境下生長的保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底為碳化硅基板、硅基板、藍(lán)寶石基板中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化鎵犧牲層厚度為100nm～10um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述保護(hù)層為在高氮?dú)浔容d氣環(huán)境下生長的氮化鎵基外延層，所述高氮?dú)浔却笥?0，所述保護(hù)層厚度為30nm～3um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氮化鎵基外延功能層包含有N型氮化鎵基外延層、有源層、P型氮化鎵基外延層，所述氮化鎵基外延功能層厚度為1um～10um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于襯底化學(xué)剝離的氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底和氧化鎵犧牲層之間可設(shè)有一層緩沖層,所述緩沖層為物理濺射的氮化鋁薄膜或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長的氮化鎵薄膜，所述緩沖層厚度為10nm～3um。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江西兆馳半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)江西兆馳半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821921880.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
