[發明專利]一種可提高切割成品率的切割道

有效

• 申請號: 200810035897.6
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN101554756A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 陸黎明;趙永;黃偉霞
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術領域

本發明涉及晶圓切割工藝，尤其涉及一種可提高切割成品率的切割道。

背景技術

在半導體制造領域，當在晶圓上制成晶粒(die)后，還需要通過切割工藝 將晶圓切割為單個的晶粒，之后將該些晶粒封裝形成可直接使用的芯片。如圖1 所示，切割道10(Scribe?line)將晶圓1區隔為多個晶粒11，在進行切割工 藝時沿著切割道10將晶圓1切割成單個的晶粒11。切割道10的寬度通常為80 微米，為盡可能的利用晶圓上的空間，通常會在切割道10上設置用于進行晶圓 驗收測試(wafer?acceptance?testing；簡稱WAT)的測試模塊100(test?key)。

參見圖2，該測試模塊100具有多個金屬墊100a和多條連接在金屬墊100a 上的金屬導線100b，金屬墊100a與晶粒11上的金屬互聯層同時形成。

參見圖3，其為現有技術中的金屬墊100a的剖視圖，如圖所示，現有技術 的金屬墊100a具有第一層金屬M1、第一層金屬插塞層V1、第二層金屬層M2、...、 頂層金屬插塞層TV、頂層金屬TM，其所包括的每層金屬上下對齊，且其均為邊 長等于70微米的正方形。在現有技術中，圖2中所示的金屬導線100b在與金 屬墊100a互連時，從金屬墊100a的外側與金屬墊100a實現連接，由于金屬墊 100a與切割道10的中心重合，于是金屬導線100b通常分布在距離晶粒5微米 的范圍內，當完成WAT測試并沿切割道10將晶圓1切成單個的晶粒11時，由 于金屬導線100b距離晶粒11的距離非常近，此時金屬導線100b產生的金屬碎 屑易損傷晶粒11，嚴重時會造成晶粒11的報廢，如此會大大降低切割工藝的成 品率。

因此，如何提供一種可提高切割成品率的切割道以避免金屬導線距離晶粒 太近而在切割時形成可損傷晶粒的金屬碎屑，已成為業界亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可提高切割成品率的切割道，通過所述切割道 可避免金屬導線與晶粒間的距離過近而使金屬導線在切割時形成易損傷晶粒的 金屬碎屑，從而可大大提高晶圓切割的成品率。

本發明的目的是這樣實現的：一種可提高切割成品率的切割道，其設置在 晶圓上且將晶圓區隔為多個晶粒，該切割道上設置有多個測試模塊，該測試模 塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導線，該金屬墊底部具有一 沿切割道方向貫通并用于設置金屬導線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬 墊的頂層金屬上，該金屬導線經過該容置凹槽穿過或連接在該金屬墊上。

在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊由多層金屬組成。

在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊排布在切割道的中心區 域。

在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽位于金屬墊底部的中 心區域。

在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽的寬度占該金屬墊總 寬度的10％至80％。

與現有技術中連接在金屬墊的金屬導線從金屬墊外側連接至金屬墊，從而 造成切割晶圓時金屬導線所產生金屬碎屑易損傷晶粒相比，本發明的可提高切 割成品率的切割道在金屬墊的底部設置一沿切割道方向且貫通的容置凹槽，金 屬導線途徑該容置凹槽穿過或連接在金屬墊上，從而避免了在將晶圓切割成單 個晶粒時距離晶粒過近的金屬導線產生的高能量金屬碎屑損傷晶粒，如此可大 大提高晶圓切割時的成品率，同時也有效增大了切割道上的布線空間。

附圖說明

本發明的可提高切割成品率的切割道由以下的實施例及附圖給出。

圖1為具有切割道和晶粒的晶圓的主視圖；

圖2為測試模塊的組成結構示意圖；

圖3為現有技術中金屬墊的剖視圖；

圖4為本發明的可提高切割成品率的切割道上金屬墊的剖視圖。

具體實施方式

以下將對本發明的可提高切割成品率的切割道作進一步的詳細描述。

參見圖1，本發明的可提高切割成品率的切割道10設置在晶圓1上，且將 晶圓1區隔為多個晶粒11，所述切割道10上設置有多個測試模塊100。在本實 施例中，切割道10的寬度為80微米。

參見圖2，所述測試模塊100具有多個金屬墊100a以及多條連接在金屬墊 100a上的金屬導線100b，其中，所述金屬導線100b可用于進行互連或用于測試。