[實用新型]一種單晶降溫裝置

有效

• 申請號: 201821874764.3
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN209508453U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 王立剛
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

一種單晶降溫裝置，包括降溫室和運輸裝置，降溫室為密閉空間，降溫室兩側分別設有進料口和出料口，進料口與出料口之間設有傳動裝置，傳動裝置包括傳送滾筒，傳送滾筒為多個，傳送滾筒通過傳動機構連接且平行分布，傳動機構連接驅動機構，傳動裝置置于降溫室內部，降溫室內部置有制冷劑，運輸裝置包括兩個，運輸裝置分別置于進料口處和出料口處，運輸裝置上設有單晶支架，單晶支架的高度與傳動裝置的高度一致。本實用新型的有益效果是：結構簡單、操作方便，通過傳動裝置聯通兩側的單晶運輸車，使得單晶在進入降溫室、降溫過程中及運出降溫室的時候，均避免了手動接觸單晶，降低了人體凍傷的風險，自動化程度高，生產成本低。

技術領域

本實用新型屬于機械結構技術領域，尤其是涉及一種單晶降溫裝置。

背景技術

單晶，即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列，或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成，整個晶體中質點在空間的排列為長程有序。單晶整個晶格是連續的，具有重要的工業應用。

單晶生長制備方法大致可以分為氣相生長、溶液生長、水熱生長、熔鹽法、熔體法。最常見的技術有提拉法、坩堝下降法、區熔法、定向凝固法等。

在單晶制備完成后，降溫冷卻處理是得到品質完好的單晶的關鍵因素。現有的單晶降溫裝置大多是將單晶與干冰一起放入密閉空間，冷卻一段時間后，取出單晶。此方法易于操作，簡單有效。但干冰的熔點為-78.5℃，人體直接取出，會有凍傷風險。使用大型機械設備或機械手取出，結構復雜，占地面積大，應用范圍小，生產成本高。升華后的二氧化碳氣體直接排放到空氣當中，浪費的同時對環境造成了污染。

實用新型內容

本實用新型要解決的問題是提供一種降溫裝置；尤其是結構簡單、晶體運輸方便，自動化程度高且生產成本低，節能環保的一種單晶降溫裝置。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種單晶降溫裝置，包括降溫室和運輸裝置，所述降溫室為密閉空間，所述降溫室兩側分別設有進料口和出料口，所述進料口和所述出料口處設有密封門，所述進料口與所述出料口之間設有傳動裝置，所述傳動裝置包括傳送滾筒，所述傳送滾筒為多個，所述傳送滾筒通過傳動機構連接且平行分布，所述傳動機構連接驅動機構，所述傳動裝置置于所述降溫室內部，所述降溫室內部置有制冷劑，所述制冷劑置于所述傳動裝置下部，所述運輸裝置包括兩個，所述運輸裝置分別置于所述進料口處和所述出料口處，所述運輸裝置上設有單晶支架，所述單晶支架的高度與所述傳動裝置的高度一致。

進一步的，所述傳送滾筒包括滾筒軸和筒體，所述筒體置于所述滾筒軸外表面中心處，所述滾筒軸與所述筒體同軸心，所述滾筒軸兩端長于所述筒體。

進一步的，所述傳動機構為密封圈，所述傳送滾筒包括動力滾筒和無動力滾筒，所述動力滾筒置于中間部位，所述無動力滾筒置于所述動力滾筒兩側平行分布，所述筒體端部外表面設有凹槽，相鄰兩根所述傳送滾筒通過所述密封圈連接，所述密封圈置于所述凹槽內，所述動力滾筒連接所述驅動機構。

進一步的，所述傳動裝置包括運輸軌道，所述運輸軌道包括第一基板和第二基板，所述第一基板與所述第二基板平行，所述筒體置于所述第一基板與所述第二基板之間，所述滾筒軸兩端分別鉸接在所述第一基板與所述第二基板上，所述傳動機構為傳動齒輪，所述傳動齒輪套于所述滾筒軸兩端端部，相鄰的所述傳動齒輪相互嚙合，所述傳動齒輪連接所述驅動機構。

進一步的，所述傳動機構為傳動飛輪和傳動鏈條，所述傳動飛輪套于所述滾筒軸兩端端部，所述傳動鏈條與所述傳動飛輪上的鍵相互嚙合，所述傳動飛輪連接所述驅動機構。

進一步的，所述運輸裝置為單晶運輸車，所述單晶運輸車底部設有萬向輪，所述單晶支架底部設有升降裝置。

進一步的，所述制冷劑為干冰，所述降溫室連接二氧化碳回收裝置。