[實用新型]元件單元有效
| 申請號: | 201821870784.3 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN209282184U | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 詹富豪;林鑫利 | 申請(專利權)人: | 昱鑫制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 吳志紅;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 連續曲面 功能層 縱面 凹陷部 第一表面 元件單元 側壁 本實用新型 最小距離 交界 | ||
1.一種元件單元,其特征在于,包括:
基板;以及
至少一功能層,設置在所述基板的第一表面上,
其中所述基板與所述至少一功能層具有至少一切割側,在所述至少一切割側處,所述至少一功能層的側壁包括至少一連續曲面、斜面或縱面,所述基板的側壁包括至少一連續曲面、凹陷部終點以及縱面,在所述基板的所述至少一連續曲面與所述至少一功能層的所述至少一連續曲面、所述斜面或所述縱面之間有交界,且所述凹陷部終點位于所述基板的所述至少一連續曲面與所述基板的所述縱面之間,其中所述凹陷部終點與所述第一表面的最小距離小于所述基板的厚度的二分之一。
2.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述元件單元包括半導體元件或光學元件。
3.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述基板包括硅基板、氧化鋁基板、氮化鋁基板、藍寶石基板、砷化鎵基板、碳化硅基板、碳基板、印刷電路板、可撓式印刷電路板、陶瓷基板、環氧樹脂模制化合物、表面黏著型元件或塑膠晶粒承載封裝。
4.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述基板是經摻雜的基板。
5.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述至少一功能層包括光阻層、有機絕緣層、無機絕緣層或線路層。
6.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,在所述至少一切割側處,所述基板的所述至少一連續曲面與所述至少一功能層的所述至少一連續曲面具有不同的弧度。
7.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述交界是連接于所述基板的所述至少一連續曲面與所述至少一功能層的所述至少一連續曲面之間。
8.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述第一表面被所述至少一功能層暴露出來的部分構成所述交界。
9.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述元件單元包括多個功能層重疊設置在所述第一表面上,且所述多個功能層的每一個包括所述至少一連續曲面、所述斜面或所述縱面。
10.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述至少一功能層包括半球狀的導光元件,所述導光元件的直徑小于所述元件單元的寬度,且位于所述元件單元的任一個角落的所述凹陷部終點的深度大于或等于位于所述元件單元的任一個側邊的所述凹陷部終點的深度。
11.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,所述至少一功能層包括半球狀的導光元件,所述導光元件的直徑大于所述元件單元的寬度,所述至少一功能層在所述至少一切割側處包括斜面或縱面,且所述凹陷部終點的深度由所述至少一切割側的中心往兩側增加。
12.根據權利要求1所述的元件單元,其特征在于,在所述至少一切割側處,所述至少一功能層的頂面與所述至少一功能層的所述側壁之間的轉角包括倒角。
13.一種元件單元,其特征在于,包括:
至少一元件;以及
功能層,包覆所述至少一元件,且所述功能層包括至少一切割側,在所述至少一切割側處,所述功能層的側壁包括至少一連續曲面、斜面或縱面。
14.根據權利要求13所述的元件單元,其特征在于,所述功能層包括光阻層、有機絕緣層、無機絕緣層、線路層或上述至少兩層的組合。
15.根據權利要求13所述的元件單元,其特征在于,所述功能層包括半球狀的導光元件,所述導光元件的直徑大于所述元件單元的寬度,所述功能層在所述至少一切割側處包括斜面或縱面。
16.根據權利要求13所述的元件單元,其特征在于,在所述至少一切割側處,所述功能層的頂面與所述功能層的所述側壁之間的轉角包括倒角。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





