[實用新型]一種反應腔內襯

有效

• 申請號: 201821855011.8
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN208835019U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 李娜;程實然;劉海洋;陳兆超;侯永剛;王鋮熠;胡冬冬;許開東
• 申請（專利權）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京得信知識產權代理有限公司 11511
• 代理人: 孟海娟;阿蘇娜

本實用新型公開了一種反應腔內襯，包括圓環狀側壁主體(2)和設置于其上部的法蘭(3)，其中，法蘭(3)的端面沿著徑向延伸超出側壁(2)，在法蘭(3)外邊緣沿徑向延伸出固定用凸緣(31)，其上開有孔(32)，側壁(2)上開有長方形槽(4)，與反應腔室(50)的側壁上的機械手進出口(51)位置相對應，側壁2設有通孔(22)及蜂窩狀小孔(21)，與側壁(2)底部相接面具有沿徑向向內延伸的圓盤(5)，圓盤(5)的延伸末端與反應腔室(50)中心放置的電極組件(80)的外邊緣配合，圓盤(5)上環向設置有多圈長槽孔(6)。該反應腔內襯能夠提供更好的熱穩定性，足夠的射頻接地路線，減少停機時間，并且能夠提高了等離子體反應工藝的均勻性。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體涉及一種反應腔內襯。

背景技術

在半導體制造中，等離子體刻蝕是用來刻蝕導電和介電材料的。等離子體刻蝕的問題之一是，隨著時間的推移，當多個晶片在槽內加工時，就會在加工室的腔壁上堆積起一層膜來。這種薄膜的積累可能會造成如下問題：首先，該薄膜可能從腔壁剝落，引入微粒。隨著集成電路器件的特征尺寸的不斷減小，加工過程中顆粒的耐受性程度正在迅速下降。因此，在加工過程中避免顆粒的產生及其細化變得越來越重要。第二，薄膜可能改變射頻接地路徑，從而影響在晶片上獲得的結果。目前設備中多采用對工藝室進行濕式清洗操作，用物理方法擦洗反應腔室的內壁，以清除積層。

在商業半導體制造中，工藝室的濕式清洗是不可取的，為此，一些工藝室設置了內襯，以保護室壁。然而，目前在工藝室中使用的圓柱形內襯至少有兩個主要缺點。第一個缺點是，由于真空中的熱傳遞很差，這種內襯的整體位于真空中，缺乏足夠的熱連接。因此，當射頻功率被循環和關閉時，內襯的溫度會劇烈波動。這種溫度波動會引起不希望的變化。在晶片的加工過程中，第二個缺點是很難在真空中與內襯進行電氣連接，從而提供令人滿意的RF接地路徑。為此目的而單獨使用的材料，例如不銹鋼螺釘、銅帶和鈹銅手指，都會在晶片上產生污染物。鑒于以上原因，需要提供一種新型的半導體工藝反應腔內襯。

實用新型內容

針對現有的問題，本實用新型提供一種反應腔內襯，包括圓環狀側壁主體(2)和設置于其上部的法蘭(3)，其中，法蘭(3)的端面沿著徑向延伸超出側壁(2)，在法蘭(3)外邊緣沿徑向延伸出固定用凸緣(31)，其上開有孔(32)，側壁(2)上開有長方形槽(4)，與反應腔室(50)的側壁上的機械手進出口(51)位置相對應，側壁2設有通孔(22)及蜂窩狀小孔(21)，與側壁(2)底部相接面具有沿徑向向內延伸的圓盤(5)，圓盤(5)的延伸末端與反應腔室(50)中心放置的電極組件(80)的外邊緣配合，圓盤(5)上環向設置有多圈長槽孔(6)。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述法蘭(3)的端面是圓形或方形。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述法蘭(3)的端面沿徑向延伸超出所述側壁(2)的長度為6mm～35mm，厚度為5mm～10mm。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，在所述法蘭(3)的端面設置有密封槽(33)及導電線圈放置槽(34)，以使反應腔內襯(1)與反應腔室(50)上部的腔蓋組件(60)良好接觸與密封。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述長方形槽(4)的尺寸與機械手進出口(51)的尺寸相同或略小，以使得機械手能夠進入與伸出反應腔室(50)進行取送片。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述蜂窩狀小孔(21)的孔徑為1.5mm～3mm。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述圓盤(5)的厚度為3mm～7mm。

本實用新型的反應腔內襯中，優選為，所述長槽孔(6)的寬度為3mm～5mm，每圈具有多個長槽孔(6)，每個所述長槽孔(6)的長度為角度在20°～40°之間的圓弧的長度。