[實用新型]一種氣體擴散器有效
| 申請號: | 201821849566.1 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN208903980U | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 隔離環 內圈 氣體擴散器 氣體引導部 擴散 晶圓 氣體擴散區 分流氣體 蝕刻氣體 中心氣體 不均勻 擴散區 蝕刻 本實用新型 均勻擴散 產率 線寬 出口 | ||
1.一種氣體擴散器,其特征在于,包括:
內圈擴散隔離環,所述內圈擴散隔離環的內側包括中心氣體擴散區,所述中心氣體擴散區包括至少一個中心分流氣體進氣口及多個中心分流氣體出口;
外圈擴散隔離環,所述外圈擴散隔離環位于所述內圈擴散隔離環的外側,所述內圈擴散隔離環與所述外圈擴散隔離環之間的部分包括邊緣氣體擴散區,所述邊緣氣體擴散區包括至少一個邊緣分流氣體進氣口及多個邊緣分流氣體出口;
氣體引導部,所述氣體引導部包括位于所述中心氣體擴散區的至少一個內圈氣體引導部及位于所述邊緣氣體擴散區的至少一個外圈氣體引導部,其中每個所述內圈氣體引導部將自所述中心分流氣體進氣口流入的氣體以相同距離引導至多個所述中心分流氣體出口,每個所述外圈氣體引導部將自所述邊緣分流氣體進氣口流入的氣體以相同距離引導至多個所述邊緣分流氣體出口。
2.根據權利要求1所述的氣體擴散器,其特征在于,所述氣體擴散器還包括位于所述外圈擴散隔離環外側的最邊緣氣體擴散區,所述最邊緣氣體擴散區包括最邊緣分流氣體進氣口及多個最邊緣分流氣體出口。
3.根據權利要求1所述的氣體擴散器,其特征在于,每個所述內圈氣體引導部包括內圈氣體主通道及第一內圈支通道和第二內圈支通道,所述第一內圈支通道和第二內圈支通道位于所述內圈氣體主通道的兩端,并且分別在中間部分通過內圈連接部與所述內圈氣體主通道連通;
所述中心分流氣體進氣口位于所述內圈氣體主通道的中間部分,所述第一內圈支通道和第二內圈支通道的端部分別與中心分流氣體出口連通。
4.根據權利要求1所述的氣體擴散器,其特征在于,每個所述外圈氣體引導部包括外圈氣體主通道及第一外圈支通道和第二外圈支通道,所述第一外圈支通道和第二外圈支通道位于所述外圈氣體主通道的兩端,并且分別在中間部分通過外圈連接部與所述外圈氣體主通道連通;
所述邊緣分流氣體進氣口位于所述外圈氣體主通道的中間部分,所述第一外圈支通道和第二外圈支通道的端部分別與邊緣分流氣體出口連通。
5.根據權利要求3所述的氣體擴散器,其特征在于,所述內圈氣體主通道、所述第一內圈氣體支通道和所述第二內圈氣體支通道包括圓弧形構造。
6.根據權利要求4所述的氣體擴散器,其特征在于,所述外圈氣體主通道、所述第一外圈氣體支通道和所述第二外圈氣體支通道包括圓弧形構造。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司,未經長鑫存儲技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821849566.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種化學機械拋光設備用清洗烘干一體化裝置
- 下一篇:旋轉濕法刻蝕設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





