[實用新型]引線框架條、半導體封裝結構及其單元

有效

• 申請號: 201821834663.3
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN208848899U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 朱健榮;王超;鄭友君
• 申請（專利權）人: 嘉盛半導體(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 陳偉;李輝

本實用新型提供了一種引線框架條、半導體封裝結構及其單元，引線框架條包括：呈多排多列配置的多個引線框架單元，相鄰兩列引線框架單元之間形成有第一切割道連接條，相鄰兩行引線框架單元之間形成有第二切割道連接條；每個引線框架單元包括：與第一切割道連接條相連接的多個引腳，引腳設有引腳連接條，引腳連接條與第二切割道連接條相連接；相鄰兩個第二切割道連接條通過切割道導電連接條相連接。本實用新型實施例的能有效的避免在切割分離由引線框架條封裝的半導體封裝產品時產生金屬碎屑或金屬絲，從而消除因此而引發的相鄰半導體封裝結構單元在使用過程中形成的橋接而導致的短路這種質量及安全隱患。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種引線框架條、半導體封裝結構及其單元。

背景技術

本部分的描述僅提供與本實用新型公開相關的背景信息，而不構成現有技術。

為了滿足某些行業(如汽車電子類產品)對半導體封裝產品更高性能的要求，需要在半導體封裝產品引腳的側邊上形成保護層，防止引腳側邊氧化，以提高半導體封裝產品的可靠性以及與其他元器件連接時的可焊性。

公告號為CN204834611U提供了一種能在半導體封裝產品引腳的側邊形成防氧化保護層的已知實施例，該已知實施例的具體實現過程如下：

如圖1A和圖1B所示，提供引線框架條。該引線框架條包含有多個引線框架單元，引線框架單元包括中央焊盤區16及排列于中央焊盤區16四周的多個引腳12，中央焊盤區16和引腳12的中間設有空隙18，相鄰兩個引線框架單元處設計有連接條14，以使多個引線框架單元彼此連接。

如圖1C所示，半導體芯片粘附及引線鍵合。在中央焊盤區16上涂敷膠層20，然后將半導體芯片22粘附在膠層20上，將半導體芯片22上的微型焊墊與引線框架條的引腳12利用引線24連接起來。

如圖1D所示，塑封。采用塑封料26將半導體芯片22及引線24全部包覆起來，引腳12和中央焊盤區16之間的空隙18也填充塑封料26，引腳12和中央焊盤區16的背面裸露。

如圖1E所示，半切割。對引線框架條的連接條14實行半切割，切割深度為引線框架條厚度的70％-80％，最佳為75％，使得引線框架條連接條14處形成凹槽32。

如圖1F所示，形成保護層。通過電鍍的方式，在引腳12和中央焊盤區16的背面，以及凹槽32的側壁及頂壁上形成附加金屬層28。

如圖1G所示，全切割分離。在半切割的基礎上進行引線框架條全切割，全切割開口寬度小于半切割開口寬度但大于引線框架條連接條14的寬度。在引腳12的側邊處形成有L形的凹槽32，凹槽32的側壁上鍍有與引腳12在封裝體底部的相同且連接一體的電鍍附加金屬層28，最終獲得如圖1H所示的半導體封裝結構單元。

由于在實施如圖1F所示的電鍍工藝時，在凹槽32的頂壁也形成有附加金屬層28。那么在實施如圖1G所示的全切割時，形成在凹槽32頂壁上的附加金屬層28被切割，而附加金屬層28在被切割的過程中容易產生金屬碎屑或金屬絲。這些金屬碎屑或金屬絲將粘附在引腳12的外側壁上，由于粒徑較小，不易被清除。這將導致最終得到的半導體封裝結構單元在使用過程中，易與相鄰半導體封裝結構單元形成橋接，從而導致短路。

此外，由于附加金屬層28只覆蓋引腳12被切割暴露后的側壁。因此，在實施如圖1G所示的全切割之后，引腳12的上端側壁并未包覆有附加金屬層28，從而導致最終得到的如圖1H所示的半導體封裝結構單元中的引腳12仍有部分側壁34處于暴露狀態。該暴露部分的引腳12的側壁34將有可能氧化，而影響半導體封裝結構單元的可靠性。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本實用新型的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本實用新型的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

實用新型內容