[實用新型]一種電光調Q開關觸發電路

有效

• 申請號: 201821812834.2
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN208820227U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 許茂恒
• 申請（專利權）人: 山東鐳之源激光科技股份有限公司;許茂恒
• 主分類號: H01S3/115
• 分類號: H01S3/115;H01S3/09
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種電光調Q開關觸發電路，包括延時電路和激光電源，所述延時電路的輸入端與光強檢測電路連接，所述延時電路的輸出端與三極管Q1的基極連接，所述三極管Q1的集電極與電源DC4000V和Q開關連接，所述激光電源與可控硅Q2的陽極連接，所述可控硅Q2的控制極與出光控制電路連接，所述可控硅Q2的陰極與泵浦源連接，所述光強檢測電路設置在所述泵浦源與所述Q開關之間。本實用新型有益效果：觸發基準時刻更靠近最大反轉粒子數時刻，避開了電氣回路延時的影響，減少了光學器件老化的影響，使激光脈沖輸出強度更穩定，增加了脈沖功率，大大的提升了電光調Q激光器的性能。

技術領域

本實用新型涉及電光調Q激光設備技術領域，具體為一種電光調Q開關觸發電路。

背景技術

在電光調Q激光設備中，激光脈沖光強度是激光性能的重要考核指標，而Q開關的開關時刻對激光強度有著決定性的作用。理想狀態下，當泵浦源內反轉粒子數達到最大時，打開Q開關此時會輸出最大強度的激光脈沖。但反轉粒子數測量難以實現。

傳統的Q開關控制方式為，在以泵浦源開始工作為基準進行延時一定時間后觸發Q開關打開，延時時間一般在出廠調試時，測得最合適的值，然后固化在控制器中。這種控制方式，在外部環境因素變化引起電氣參數改變時，其最大反轉粒子數時刻相對泵浦源開始工作時刻發生改變，導致脈沖激光強度下降，并且隨著時間推移，電氣元器件老化，光學器件老化，必然導致最大反轉粒子數時刻改變，而固定延時的Q開關觸發方式必然會降低激光脈沖強度。

同時，目前市場上普遍應用的用偏振鏡片和普克爾盒(電光調Q開關)做成的電光調Q激光器都使用了電光調Q開關驅動電源(以下稱驅動電源)，原理是由控制器根據氙燈閃光信號延時后啟動晶壓驅動電路。驅動電源體積較大，須與激光器(普克爾盒)分別安裝并須通過調整氙燈電源與激光器適配；由于是分別安裝，其晶壓引線較長(40cm以上雙線)，分布參數影響了電光調Q晶體電壓的上升(下降)時間，激光器輸出的巨脈寬多為10～20ns，不易獲得更窄的巨脈寬輸出。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種電光調Q開關觸發電路，具備提升電光調Q激光器性能的優點，解決了在外部環境因素變化引起電氣參數改變時，其最大反轉粒子數時刻相對泵浦源開始工作時刻發生改變，導致脈沖激光強度下降，并且隨著時間推移，電氣元器件老化，光學器件老化，必然導致最大反轉粒子數時刻改變，而固定延時的Q開關觸發方式必然會降低激光脈沖強度的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種電光調Q開關觸發電路，包括延時電路和激光電源，所述延時電路的輸入端與光強檢測電路連接，所述延時電路的輸出端與三極管Q1的基極連接，所述三極管Q1的集電極與電源DC4000V和Q開關連接，所述激光電源與可控硅Q2的陽極連接，所述可控硅Q2的控制極與出光控制電路連接，所述可控硅Q2的陰極與泵浦源連接，所述光強檢測電路設置在所述泵浦源與所述Q開關之間。

進一步地，所述三極管Q1的發射極與接地端GND1連接，所述激光電源還與電容C1連接，所述電容C1與接地端GND2連接。

優選地，所述Q開關具體為加壓式Q開關或退壓式Q開關。

進一步地，所述光強檢測電路包括光電傳感器，所述光電傳感器為光敏電阻、光電二極管或光電三極管。