[實(shí)用新型]一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821809037.9
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209555351U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本實(shí)用新型公開了一種鍍膜設(shè)備沉積腔室，在所述底板上設(shè)置有N排非金屬蒸發(fā)源，每排非金屬蒸發(fā)源包括M個(gè)沿第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源；在第一預(yù)設(shè)方向上，所述N排非金屬中至少包括一排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端的非金屬蒸發(fā)源較其他排的首端、末端錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離；其中，M為大于等于8小于等于15的整數(shù)，N為大于等于2的整數(shù)；每排中的相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值。本方案，使得通過鍍膜設(shè)備沉積腔室在襯底表面形成的CIGS膜厚度均勻，性能良好，從而使得形成的包括CIGS膜的太陽能電池具有較高的發(fā)電效率，有效滿足用電需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽能電池襯底鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

在基板上附著CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的簡寫，主要組成有Cu(銅)、In(銦)、Ga(鎵)、Se(硒))膜，以形成太陽能電池，方可使太陽能電池具有將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的功能。

現(xiàn)有技術(shù)方案中主要采用磁控濺射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太陽能電池的方法，該方法主要是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場的作用下高速運(yùn)動(dòng)進(jìn)而轟擊作為陰極的靶，使作為陰極的靶中的原子或分子從原有物質(zhì)中逃逸出來進(jìn)而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的薄膜。采用該磁控濺射方法形成的薄膜與基板有較好的附著性，且形成的薄膜的密度較高。

然而，磁控濺射方法是采用環(huán)狀磁場控制下的輝光放電，其成膜速率差且磁控濺射的設(shè)備需要高壓裝置，導(dǎo)致設(shè)備復(fù)雜昂貴，不利于大規(guī)模生產(chǎn)太陽能電池。除此之外，通過磁控濺射形成的CIGS薄膜厚度不均勻，質(zhì)量較差，由此導(dǎo)致太陽能電池的性能較差，發(fā)電效率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中缺少一種形成的CIGS膜厚度均勻、具有高發(fā)電效率的鍍膜設(shè)備沉積腔室的技術(shù)問題。

根據(jù)本使用新型實(shí)施例提供的一種鍍膜設(shè)備沉積腔室，在所述底板上設(shè)置有N排非金屬蒸發(fā)源，每排非金屬蒸發(fā)源包括M個(gè)沿第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源；在第一預(yù)設(shè)方向上，所述N排非金屬中至少包括一排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端的非金屬蒸發(fā)源較其他排的首端、末端錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離；其中，M為大于等于8小于等于15的整數(shù)，N為大于等于2的整數(shù)；每排中的相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值。從而使得所述非金屬蒸發(fā)源在底板上占據(jù)更大的面積，從而可在襯底上形成的CIGS膜的厚度及面積可以得到有效的保證，從而有效保證了CIGS膜的性能及發(fā)電效率。而每排中非金屬蒸發(fā)源之間的間距相同，使得非金屬蒸發(fā)源在底板上的排布顯得較為整齊，這在很大程度上為后期對沉積腔室的維護(hù)提供的便利。

在一個(gè)實(shí)施例中，沿所述底板的長度方向設(shè)置N排非金屬蒸發(fā)源；若N大于3，則在所述底板上設(shè)置的N排非金屬蒸發(fā)源中：相鄰兩排非金屬蒸發(fā)源中，在第一預(yù)設(shè)方向上，位于一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源較另一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源均錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離；間隔一排非金屬蒸發(fā)源的兩排非金屬蒸發(fā)源中：沿底板的寬度方向一一對齊設(shè)置。在有效保證非沉積腔室在底板上占據(jù)的面積的同時(shí)，使的非金屬蒸發(fā)源在底板上的布置顯得較為整齊。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述N排非金屬蒸發(fā)源中，沿寬度方向，一側(cè)的相鄰的三排非金屬蒸發(fā)源為一組，在底板的長度方向上：每組中的第二排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端相對于該組中的第一排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端均錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離；在第一預(yù)設(shè)方向的反方向上，每組中的第三排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端相對于該組中的第一排非金屬蒸發(fā)源的首端、末端均錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離；其中，不足三排的按一組計(jì)算。如此設(shè)置，可有效保證形成的CIGS膜均勻，可有效保證太陽能電池的高發(fā)電效率。

在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)N大于等于4時(shí)，沿底板的長度方向設(shè)置的N排非金屬蒸發(fā)源中，至少包括兩排相鄰且在寬度方向上一一對齊設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源。