[實用新型]一種具有平衡電極的LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821788607.0
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN209016083U
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發(fā)明（設計）人: 徐亮;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/20
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種具有平衡電極的LED芯片，包括襯底、設置在襯底上的發(fā)光結構、絕緣層、N電極和P電極，刻蝕發(fā)光結構至第一半導體層的第一孔洞和第二孔洞，所述第一孔洞和第二孔洞將發(fā)光結構分成第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構，所述絕緣層設置在第一發(fā)光結構的反射層上并延伸至第一發(fā)光結構的側壁上，所述P電極貫穿所述絕緣層并設置在第一發(fā)光結構的反射層上，所述N電極設置在第二發(fā)光結構的反射層上并沿著第二發(fā)光結構的側壁延伸至第一半導體層上，所述N電極和P電極在反射層上的厚度相同。本實用新型的N電極和P電極在同一平面上，防止電極與基板之間發(fā)生焊接孔洞，提高焊接良率。

技術領域

本實用新型涉及發(fā)光二極管技術領域，尤其涉及一種具有平衡電極的LED芯片。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發(fā)光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢。

倒裝LED芯片和正裝LED芯片相比，具有電流分布均勻、散熱好、電壓降低、效率高等諸多優(yōu)點。因此，倒裝LED芯片被提出后，迅速受到廣泛的關注，并取得了一系列進展。但是，和正裝LED芯片相比，倒裝LED芯片在進行共晶焊接固晶時需要使用錫膏焊接或者共晶焊接的方式將芯片焊接到做好布線連接的基板上，但是傳統(tǒng)的芯片由于需要刻蝕出N型導電層，并在上面沉積N電極金屬，因此導致N電極和P電極之間存在1.2微米左右的高度差，在使用錫膏焊接或者共晶焊接的時候，在較低的N電極上容易產生焊接空洞不良，從而影響封裝器件的可靠性。

發(fā)明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種具有平衡電極的LED芯片，N電極和P電極在同一平面上，防止電極與基板之間發(fā)生焊接孔洞，提高焊接良率。

本實用新型還要解決的技術問題在于，提供一種具有平衡電極的LED芯片，N電極和P電極對稱分布在芯片的兩側，使電極在焊接時受力均勻，防止電極發(fā)生斷裂，提高焊接良率。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種具有平衡電極的LED芯片，包括襯底、設置在襯底上的發(fā)光結構、絕緣層、N電極和P電極，所述發(fā)光結構包括依次設置襯底上的第一半導體層、有源層、第二半導體層和反射層，刻蝕發(fā)光結構至第一半導體層的第一孔洞和第二孔洞，所述第一孔洞和第二孔洞將發(fā)光結構分成第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構，所述絕緣層設置在第一發(fā)光結構的反射層上并延伸至第一發(fā)光結構的側壁上，所述P電極貫穿所述絕緣層并設置在第一發(fā)光結構的反射層上，所述N電極設置在第二發(fā)光結構的反射層上并沿著第二發(fā)光結構的側壁延伸至第一半導體層上，所述N電極和P電極在反射層上的厚度相同，以將N電極和P電極的表面在同一平面上。

作為上述方案的改進，所述第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構的面積比例為2:1。

作為上述方案的改進，所述N電極和P電極對稱設置在LED芯片上。

作為上述方案的改進，所述N電極和P電極的面積相同。

作為上述方案的改進，所述第一孔洞和第二孔洞的直徑相同。

作為上述方案的改進，所述反射層為金屬反射層。

作為上述方案的改進，所述反射層為Ag/Ni/Ni疊層。

實施本實用新型，具有如下有益效果：

本實用新型通過第一孔洞和第二孔洞來將發(fā)光結構分成第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構，同時在第一發(fā)光結構上形成P電極，在第二發(fā)光結構上形成N電極，從而使得N電極和P電極在同一平面上，解決了現(xiàn)有LED芯片N電極和P電極高度不一致問題，解決了芯片電極在焊接發(fā)生的空洞率問題，提高了封裝器件的可靠性，同時又便于芯片封裝。