[實(shí)用新型]一種頻率穩(wěn)定的發(fā)動機(jī)固態(tài)放電點(diǎn)火裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821784510.2 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN209398508U | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭進(jìn)田 | 申請(專利權(quán))人: | 四川泛華航空儀表電器有限公司 |
| 主分類號: | F02C7/266 | 分類號: | F02C7/266 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610500 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 火花頻率 儲能電路 放電電路 逆變電路 穩(wěn)定電路 放電點(diǎn)火裝置 高頻升壓電路 本實(shí)用新型 頻率穩(wěn)定 升壓電路 整流電路 輸出端 發(fā)動機(jī) 傳統(tǒng)點(diǎn)火裝置 電源輸入接口 輸入端連接 能量損失 依次連接 放電 | ||
本實(shí)用新型公開了一種頻率穩(wěn)定的發(fā)動機(jī)固態(tài)放電點(diǎn)火裝置,與電源輸入接口連接,包括逆變電路、火花頻率穩(wěn)定電路、升壓電路、整流電路、儲能電路、放電電路、高頻升壓電路;所述逆變電路、升壓電路、整流電路、儲能電路、放電電路、高頻升壓電路依次連接,所述儲能電路的輸出端與火花頻率穩(wěn)定電路的輸入端連接,所述火花頻率穩(wěn)定電路的輸出端分別與逆變電路、放電電路連接。本實(shí)用新型解決了傳統(tǒng)點(diǎn)火裝置能量損失大、放電時(shí)間不可控、壽命短的問題,具有效率高、壽命長、火花頻率穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及航空穩(wěn)頻點(diǎn)火技術(shù)領(lǐng)域,具體的說,是一種頻率穩(wěn)定的發(fā)動機(jī)固態(tài)放電點(diǎn)火裝置。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有技術(shù)中,如圖3所示,航空發(fā)動機(jī)直流變式電容放電點(diǎn)火裝置一般有逆變電路、升壓電路、整流電路、儲能電路及放電控制電路組成。其工作原理為:直流電源在逆變電路和升壓電路中轉(zhuǎn)換為高壓直流脈沖,經(jīng)蒸餾后儲存在儲能電容器中;當(dāng)儲能電容器中的能量買組規(guī)定要求時(shí),放電電路中的放電開關(guān)器即導(dǎo)通為儲能電容器中的能量釋放提供通路,產(chǎn)生可以電離空氣的高電壓。
航空發(fā)動機(jī)用點(diǎn)火裝置一直限于使用機(jī)械振子逆變和氣體放電管。機(jī)械振子逆變原理的電磁繼電器,其觸點(diǎn)材料為貴金屬鉑的合金,具有成本高、加工工藝復(fù)雜、壽命短、體積大、重量大的缺點(diǎn)。氣體放電管是一種電子管器件,管體材料為陶瓷或者玻璃,內(nèi)部含有放射性氣體,在點(diǎn)火裝置中起放電開關(guān)作用。氣體放電管壽命低,放電不受外部控制,無法滿足火花頻率穩(wěn)定性要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種頻率穩(wěn)定的發(fā)動機(jī)固態(tài)放電點(diǎn)火裝置,PWM控制芯片U2及其輔助電路組成的逆變電路代替了傳統(tǒng)的機(jī)械振子逆變;由晶閘管SCR及其輔助電路組成的放電控制電路、高頻升壓電路、續(xù)流二極管D4等代替了氣體放電管;增加了續(xù)流二極管D4、可編程定時(shí)器U1及其輔助電路組成的火花頻率穩(wěn)定電路、由高頻變壓器T2和振蕩電容C9組成的高頻升壓電路。
本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種頻率穩(wěn)定的發(fā)動機(jī)固態(tài)放電點(diǎn)火裝置,與電源輸入接口連接,包括逆變電路、火花頻率穩(wěn)定電路、升壓電路、整流電路、儲能電路、放電電路、高頻升壓電路;所述逆變電路、升壓電路、整流電路、儲能電路、放電電路、高頻升壓電路依次連接,所述儲能電路的輸出端與火花頻率穩(wěn)定電路的輸入端連接,所述火花頻率穩(wěn)定電路的輸出端分別與逆變電路、放電電路連接。
進(jìn)一步地,為了更好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型,所述逆變電路包括PWM控制芯片U2、MOS場效應(yīng)管Q2,所述PWM控制芯片與電源輸入接口連接,所述PWM控制芯片的第6引腳與MOS場效應(yīng)管Q2的柵極連接,PWM控制芯片的第3引腳通過電阻R6與MOS場效應(yīng)管Q2的源級連接,所述MOS場效應(yīng)管Q2的漏級與升壓電路連接。
進(jìn)一步地,為了更好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型,所述升壓電路包括高壓硅堆二極管D1、電阻R8、變壓器T1,所述高壓硅堆二極管D1和電阻R8并聯(lián)于PWM控制芯片U2和MOS場效應(yīng)管Q2之間;所述變壓器T1的初級繞組與MOS場效應(yīng)管Q2的漏級連接。
進(jìn)一步地,為了更好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型,所述儲能電路包括高壓硅堆二極管D2、儲能電容器C8、電阻R9、電阻R10;變壓器T1通過高壓硅堆二極管D2與儲能電容器C8的正極連接所述電阻R9與電阻R10串聯(lián)后與儲能電容器C8并聯(lián)。
進(jìn)一步地,為了更好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型,所述放電電路包括二極管D3、晶閘管SCR;所述二極管D3與儲能電容器C8并聯(lián),晶閘管SCR的陰極與二極管D3的陽極連接,晶閘管SCR的陽極與高壓硅堆二極管D2的陰極連接,晶閘管SCR的控制極與火花頻率穩(wěn)定電路連接。
進(jìn)一步地,為了更好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型,所述高頻升壓電路包括高頻變壓器T2、振蕩電容C9、二極管D4、電阻R11;所述電阻R11與二極管D4并聯(lián)后分別與晶閘管SCR的陰極和高頻變壓器T2連接,所述高頻變壓器T2通過振蕩電容C9接地。
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