[實(shí)用新型]薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821775138.9
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN208767303U
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉仕彬;鐘德鎮(zhèn);廖家德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山龍騰光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置,該薄膜晶體管陣列基板包括基板；形成于基板上的底柵極；形成于底柵極和基板上的第一絕緣層；形成于第一絕緣層上且位于底柵極上方的有源層；形成于有源層兩側(cè)的源極以及漏極；形成于第一絕緣層、有源層、源極以及漏極上的第二絕緣層；形成于第二絕緣層上且位于有源層上方的頂柵極；其中，有源層包括氫化非晶硅層、摻雜非晶硅層以及位于氫化非晶硅層與摻雜非晶硅層之間的氯化非晶硅層。本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置，在提升開態(tài)電流的同時(shí)降低了漏電流，提高了像素開關(guān)的基本性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品其性能的要求不斷提升，開發(fā)高對(duì)比、高亮度、寬視角、低功耗、窄邊框的產(chǎn)品，已成為面板廠所面臨的重要問題。

而充當(dāng)像素開關(guān)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，其性能是影響開發(fā)的主要限制因素。傳統(tǒng)非晶硅TFT的電子遷移率只有0.3～1cm²/V·s，電子遷移率較小，從而導(dǎo)致TFT的響應(yīng)速度較慢，影響TFT的開關(guān)速度，為了使TFT獲得更高的電子遷移率，需要在設(shè)計(jì)TFT時(shí)增大有源層的尺寸，然而，這種方法無法保證TFT的可靠性并且會(huì)導(dǎo)致陣列基板的邊框區(qū)域的面積也增大，不利于顯示裝置向窄邊框趨勢(shì)發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置，以解決傳統(tǒng)非晶硅TFT中電子遷移率較低，而導(dǎo)致薄膜晶體管的響應(yīng)速度較慢、影響TFT開關(guān)速度的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型首先提供一種薄膜晶體管陣列基板,所述薄膜晶體管陣列基板包括基板；形成于所述基板上的底柵極；形成于所述底柵極和所述基板上的第一絕緣層；形成于所述第一絕緣層上且位于所述底柵極上方的有源層；形成于所述有源層兩側(cè)的源極以及漏極；形成于所述第一絕緣層、所述有源層、所述源極以及所述漏極上的第二絕緣層；形成于所述第二絕緣層上且位于所述有源層上方的頂柵極；其中，所述有源層包括氫化非晶硅層、摻雜非晶硅層以及位于所述氫化非晶硅層與所述摻雜非晶硅層之間的氯化非晶硅層。

進(jìn)一步地，所述氫化非晶硅層、所述氯化非晶硅層和所述摻雜非晶硅層在所述第一絕緣層上依次沉積形成。

進(jìn)一步地，所述氫化非晶硅層形成于所述第一絕緣層上，對(duì)所述氫化非晶硅層的上部分進(jìn)行氯離子布植，以形成氯化非晶硅層，所述摻雜非晶硅層形成于所述氯化非晶硅層上。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形成于所述第二絕緣層上的平坦層，所述平坦層設(shè)有貫穿所述平坦層的第一過孔，以露出位于所述源極和所述漏極上方的所述第二絕緣層；形成于所述平坦層上的第一電極層；形成于所述第一電極層、所述平坦層、所述第二絕緣層和所述頂柵極上的第三絕緣層；形成于所述第三絕緣層上的第二電極層。

進(jìn)一步地，所述第一電極層為公共電極，所述第二電極層為像素電極，所述第二絕緣層和所述第三絕緣層上貫穿設(shè)置有第二過孔，以露出部分所述漏極，所述第二電極層經(jīng)由所述第二過孔與所述漏極導(dǎo)電接觸。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形成于所述第二絕緣層上的平坦層，所述平坦層設(shè)有貫穿所述平坦層的第一過孔，以露出位于所述源極和所述漏極上方的所述第二絕緣層；形成于所述平坦層和所述第二絕緣層上的第一電極層；形成于所述第一電極層、所述平坦層、所述第二絕緣層和所述頂柵極上的第三絕緣層；形成于所述第三絕緣層上的第二電極層。

進(jìn)一步地，所述第一電極層為像素電極，所述第二電極層為公共電極，所述第二絕緣層設(shè)有第三過孔，所述第一電極層經(jīng)由所述第三過孔與所述漏極導(dǎo)電接觸。

進(jìn)一步地，所述頂柵極與所述第二絕緣層之間還夾設(shè)有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述第一電極層相互絕緣且材質(zhì)相同，所述導(dǎo)電層、所述第一電極層和所述頂柵極通過半色調(diào)光罩一次性制作形成。