[實用新型]薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201821775138.9
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN208767303U
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 劉仕彬;鐘德鎮;廖家德
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種薄膜晶體管陣列基板,其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板(10)；形成于所述基板(10)上的底柵極(11)；形成于所述底柵極(11)和所述基板(10)上的第一絕緣層(12)；形成于所述第一絕緣層(12)上且位于所述底柵極(11)上方的有源層(13)；形成于所述有源層(13)兩側的源極(14a)以及漏極(14b)；形成于所述第一絕緣層(12)、所述有源層(13)、所述源極(14a)以及所述漏極(14b)上的第二絕緣層(15)；形成于所述第二絕緣層(15)上且位于所述有源層(13)上方的頂柵極(181)；其中，所述有源層(13)包括氫化非晶硅層(131)、摻雜非晶硅層(133)以及位于所述氫化非晶硅層(131)與所述摻雜非晶硅層(133)之間的氯化非晶硅層(132)。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述氫化非晶硅層(131)、所述氯化非晶硅層(132)和所述摻雜非晶硅層(133)在所述第一絕緣層(12)上依次沉積形成。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述氫化非晶硅層(131)形成于所述第一絕緣層(12)上，對所述氫化非晶硅層(131)的上部分進行氯離子布植，以形成氯化非晶硅層(132)，所述摻雜非晶硅層(133)形成于所述氯化非晶硅層(132)上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形成于所述第二絕緣層(15)上的平坦層(16)，所述平坦層(16)設有貫穿所述平坦層(16)的第一過孔(160)，以露出位于所述源極(14a)和所述漏極(14b)上方的所述第二絕緣層(15)；形成于所述平坦層(16)上的第一電極層(171)；形成于所述第一電極層(171)、所述平坦層(16)、所述第二絕緣層(15)和所述頂柵極(181)上的第三絕緣層(19)；形成于所述第三絕緣層(19)上的第二電極層(20)。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一電極層(171)為公共電極，所述第二電極層(20)為像素電極，所述第二絕緣層(15)和所述第三絕緣層(19)上貫穿設置有第二過孔(191)，以露出部分所述漏極(14b)，所述第二電極層(20)經由所述第二過孔(191)與所述漏極(14b)導電接觸。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形成于所述第二絕緣層(15)上的平坦層(16)，所述平坦層(16)設有貫穿所述平坦層(16)的第一過孔(160)，以露出位于所述源極(14a)和所述漏極(14b)上方的所述第二絕緣層(15)；形成于所述平坦層(16)和所述第二絕緣層(15)上的第一電極層(171)；形成于所述第一電極層(171)、所述平坦層(16)、所述第二絕緣層(15)和所述頂柵極(181)上的第三絕緣層(19)；形成于所述第三絕緣層(19)上的第二電極層(20)。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一電極層(171)為像素電極，所述第二電極層(20)為公共電極，所述第二絕緣層(15)設有第三過孔(151)，所述第一電極層(171)經由所述第三過孔(151)與所述漏極(14b)導電接觸。

8.如權利要求4或6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述頂柵極(181)與所述第二絕緣層(15)之間還夾設有導電層(172)，所述導電層(172)與所述第一電極層(171)相互絕緣且材質相同，所述導電層(172)、所述第一電極層(171)和所述頂柵極(181)通過半色調光罩一次性制作形成。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述摻雜非晶硅層(133)包括相互絕緣斷開的第一部分(133a)和第二部分(133b)，所述源極(14a)位于所述第一部分(133a)上，所述漏極(14b)位于所述第二部分(133b)上。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。