[實用新型]MEMS設備和電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821772595.2 | 申請日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN209367796U | 公開（公告）日： | 2019-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | D·帕奇;M·費雷拉;A·皮科 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;H01L41/09 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 意大利;IT |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一表面 可變形 凹槽結(jié)構(gòu) 第二表面 電子裝置 隔膜腔 延伸 本實用新型 壓電致動器 止動器 界定 | ||
1.一種MEMS設備，其特征在于，包括：
主體，具有第一表面和第二表面以及在所述第一表面和所述第二表面之間的第一厚度；
腔體，在所述主體中并且從所述第二表面延伸到所述主體中，所述腔體由所述主體的壁界定；
在所述主體中、在所述第一表面和所述腔體之間的可變形部分；
在所述可變形部分上的壓電致動器；以及
凹槽，在所述腔體處在所述主體的所述壁內(nèi)并且形成所述主體的柔性部分，所述主體的所述柔性部分在所述可變形部分和所述凹槽之間，其中所述主體的所述柔性部分被配置為當大于特定閾值的力被施加到所述可變形部分時彎折。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，所述主體包括結(jié)構(gòu)層和半導體材料的基底，其中所述基底具有第二厚度，所述結(jié)構(gòu)層在所述基底之上延伸并且限定所述第一表面，所述可變形部分被形成在所述結(jié)構(gòu)層中，并且所述腔體是所述基底中的貫穿開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，所述腔體具有四邊形形狀，并且其中所述凹槽是環(huán)形形狀的凹槽或者多邊形形狀的凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，所述凹槽由多個延伸部形成，所述多個延伸部以彼此相距45°的角距離延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，所述壓電致動器由圓柱形狀的區(qū)域、中空圓柱形狀的區(qū)域或平行六面體形狀的區(qū)域選擇性地形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設備，其特征在于，所述壓電致動器是多個致動器，所述多個致動器以彼此間隔45°成角度地延伸。
7.一種電子裝置，其特征在于，包括：
MEMS設備，包括：
半導體主體，具有第一表面和第二表面以及貫穿開口，所述貫穿開口從所述第一表面和所述第二表面延伸，其中所述貫穿開口的壁包括鄰近所述第一表面的凹槽，其中所述凹槽在所述第一表面處形成所述半導體主體的柔性部分；
可變形層，在所述半導體主體的所述第一表面上并且在所述貫穿開口之上，所述可變形層和所述貫穿開口形成腔體；以及
壓電致動器，在所述可變形層上；以及
ASIC，被耦合到所述MEMS設備。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，進一步包括：
存儲器塊；
輸入/輸出接口；以及
微處理器，被耦合到所述ASIC、所述存儲器塊和所述輸入/輸出接口。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述MEMS設備的所述貫穿開口和所述凹槽彼此同心。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述半導體主體的所述柔性部分被配置為當大于特定閾值的力被施加到所述可變形部分時彎折。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述凹槽圍繞所述貫穿開口的所述壁的周界延伸。
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