[實(shí)用新型]像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821768782.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209056270U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李雪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/3258
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/3258
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;王中華

1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：復(fù)位模塊(1)、與所述復(fù)位模塊(1)電性連接的補(bǔ)償模塊(2)和與所述補(bǔ)償模塊(2)電性連接的發(fā)光模塊(3)；

所述復(fù)位模塊(1)用于接收復(fù)位控制信號(hào)(Reset)并在復(fù)位控制信號(hào)(Reset)的控制下復(fù)位所述補(bǔ)償模塊(2)；

所述補(bǔ)償模塊(2)用于接收掃描信號(hào)(Scan)并在掃描信號(hào)(Scan)的控制下接收數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)和補(bǔ)償電壓(Vi)并進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償；

所述發(fā)光模塊(3)用于接收發(fā)光控制信號(hào)(EM)并在發(fā)光控制信號(hào)(EM)的控制下發(fā)光。

2.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述補(bǔ)償模塊(2)包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)及存儲(chǔ)電容(C1)；

所述第一薄膜晶體管(T1)的柵極接收掃描信號(hào)(Scan)，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(G)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(C)；

所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極接收掃描信號(hào)(Scan)，源極接收補(bǔ)償電壓(Vi)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(B)；

所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極接收掃描信號(hào)(Scan)，源極接收數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)，漏極電性連接第四節(jié)點(diǎn)(A)；

所述第四薄膜晶體管(T4)的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(G)，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(C)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(B)；

所述存儲(chǔ)電容(C1)的兩端分別電性連接第一節(jié)點(diǎn)(G)和第四節(jié)點(diǎn)(A)；

所述復(fù)位模塊(1)與所述第一節(jié)點(diǎn)(G)和第四節(jié)點(diǎn)(A)電性連接，所述發(fā)光模塊(3)與第二節(jié)點(diǎn)(C)、第三節(jié)點(diǎn)(B)及第四節(jié)點(diǎn)(A)電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述復(fù)位模塊(1)包括第五薄膜晶體管(T5)；

所述第五薄膜晶體管(T5)的柵極接收復(fù)位控制信號(hào)(Reset)，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(G)，漏極電性連接第四節(jié)點(diǎn)(A)。

4.如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊(3) 包括：第六薄膜晶體管(T6)、第七薄膜晶體管(T7)、第八薄膜晶體管(T8)及電致發(fā)光元件(D1)；

所述第六薄膜晶體管(T6)的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)(EM)，源極接收電源高電壓(Vdd)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(B)；

所述第七薄膜晶體管(T7)的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)(EM)，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(C)，漏極電性連接電致發(fā)光元件(D1)的陽(yáng)極；

所述第八薄膜晶體管(T8)的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)(EM)，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(B)，漏極電性連接第四節(jié)點(diǎn)(A)；

所述電致發(fā)光元件(D1)的陰極接收電源低電壓(Vss)。

5.如權(quán)利要求4所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電致發(fā)光元件(D1)為有機(jī)發(fā)光二極管。

6.如權(quán)利要求4所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、第六薄膜晶體管(T6)、第七薄膜晶體管(T7)及第八薄膜晶體管(T8)為非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管或金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。

7.如權(quán)利要求4所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、第六薄膜晶體管(T6)、第七薄膜晶體管(T7)及第八薄膜晶體管(T8)為N型薄膜晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述復(fù)位控制信號(hào)(Reset)、掃描信號(hào)(Scan)及發(fā)光控制信號(hào)(EM)均與外部時(shí)序控制器電性連接。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。