[實用新型]場效應管器件

有效

• 申請號: 201821756811.4
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN208835069U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 馮鵬;陳面國;蔡宗叡
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本實用新型提出一種場效應管器件，涉及半導體生產技術領域。所述場效應管器件包括：襯底；阱區，位于所述襯底中，注入有第一型態的離子，所述阱區包含溝道區、輕摻雜區、源區與漏區；柵極結構，位于所述襯底上，所述柵極結構位于溝道區正上方；其中，溝道區包括反態摻雜區，所述反態摻雜區注入有與第一型態相反型態的反態離子，且相對于所述溝道區的中心軸對稱分布。本實用新型提供的場效應管器件的溝道區包括注入有反態離子的反態摻雜區，該反態摻雜區相對于溝道區的中心軸對稱分布，使得器件的導電溝道變寬，減少了電子形成熱載流子的機率，從而降低器件的熱載流子注入效應，使得器件的飽和電流增加，閾值電壓降低，提高了器件性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體生產技術領域，尤其涉及一種場效應管器件。

背景技術

集成電路中的金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor，MOSFET)器件工作一段時間后，器件的電學性能會逐步發生變化，例如：閾值電壓(Vt)漂移，跨導(Gm)降低，飽和電流(Idsat)減小，這些變換最后將導致器件不能正常工作。研究表明，這種現象是由于熱載流子注入效應(Hot CarrierInjection，HCI)導致的。

在制造動態隨機存儲器(DRAM)時，改善存儲器外圍電路中NMOSFET器件的熱載流子注入效應，可以提高存儲器件的可靠性。

因而，在存儲器領域中，由于HCI造成的器件性能漂移的問題亟須簡單有效的方法解決。

需要說明的是，在上述背景技術部分實用新型的信息僅用于加強對本實用新型的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種場效應管器件，至少在一定程度上克服熱載流子注入效應帶來的器件性能漂移問題。

本實用新型的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本實用新型的實踐而習得。

根據本實用新型提供一種場效應管器件，所述器件包括：襯底；阱區，位于所述襯底中，注入有第一型態的離子，所述阱區包含溝道區、輕摻雜區、源區與漏區，所述源區和所述漏區分別位于所述溝道區兩側，所述輕摻雜區也位于所述溝道區兩側；柵極結構，位于所述襯底上，所述柵極結構包括柵氧化層和位于所述柵氧化層上的電極材料層，所述柵極結構位于所述溝道區正上方；其中，所述溝道區包括反態摻雜區，所述反態摻雜區注入有與第一型態相反型態的反態離子，且相對于所述溝道區的中心軸對稱分布。

上述方案中，所述器件為N型金屬氧化物場效應管器件，所述反態離子包括砷離子。

上述方案中，所述反態離子的注入劑量為1.5E12每立方厘米～1.9E12每立方厘米，所述反態離子的注入能量為30KeV～35KeV。

上述方案中，所述第一型態的離子為硼離子，所述硼離子的注入劑量為1.5E13每立方厘米～3E13每立方厘米，所述硼離子的注入能量為130KeV～160KeV。

上述方案中，所述輕摻雜區不與所述反態摻雜區相連，且所述輕摻雜區注入的離子包括磷離子或砷離子。

本實用新型實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果：

本實用新型一種示例性實施例所提供的技術方案中，場效應管器件的溝道區包括注入有反態離子的反態摻雜區，該反態摻雜區相對于溝道區的中心軸對稱分布，使得器件的導電溝道變寬，減少了電子形成熱載流子的機率，從而降低器件的熱載流子注入效應，使得器件的飽和電流增加，閾值電壓降低，提高了器件性能。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本實用新型。

附圖說明