[實用新型]場效應管器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821756811.4 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN208835069U | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馮鵬;陳面國;蔡宗叡 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝道區(qū) 場效應管器件 摻雜區(qū) 襯底 離子 本實用新型 中心軸對稱 柵極結(jié)構(gòu) 阱區(qū) 熱載流子注入效應 半導體生產(chǎn)技術(shù) 飽和電流 導電溝道 降低器件 器件性能 輕摻雜區(qū) 熱載流子 閾值電壓 變寬 漏區(qū) 源區(qū) | ||
1.一種場效應管器件，其特征在于，所述器件包括：
襯底；
阱區(qū)，位于所述襯底中，注入有第一型態(tài)的離子，所述阱區(qū)包含溝道區(qū)、輕摻雜區(qū)、源區(qū)與漏區(qū)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)分別位于所述溝道區(qū)兩側(cè)，所述輕摻雜區(qū)也位于所述溝道區(qū)兩側(cè)；
柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵氧化層和位于所述柵氧化層上的電極材料層，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述溝道區(qū)正上方；
其中，所述溝道區(qū)包括反態(tài)摻雜區(qū)，所述反態(tài)摻雜區(qū)注入有與第一型態(tài)相反型態(tài)的反態(tài)離子，且相對于所述溝道區(qū)的中心軸對稱分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件為N型金屬氧化物場效應管器件，所述反態(tài)離子包括砷離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述反態(tài)離子的注入劑量為1.5E12每立方厘米～1.9E12每立方厘米，所述反態(tài)離子的注入能量為30KeV～35KeV。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一型態(tài)的離子為硼離子，所述硼離子的注入劑量為1.5E13每立方厘米～3E13每立方厘米，所述硼離子的注入能量為130KeV～160KeV。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述輕摻雜區(qū)不與所述反態(tài)摻雜區(qū)相連，且所述輕摻雜區(qū)注入的離子包括磷離子或砷離子。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
