[實用新型]一種過壓保護芯片的版圖結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821749351.2
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN209708976U
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設計）人: 顧怡峰;楊雪;連穎;田浩;吳國臣
• 申請（專利權）人: 上海長園維安電子線路保護有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 31298 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 衣然<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本實用新型公開了一種過壓保護芯片的版圖結構，包括第一版圖區(qū)域，第二版圖區(qū)域，第三版圖區(qū)域，第四版圖區(qū)域，第五版圖區(qū)域，第六版圖區(qū)域。本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構在充分考慮模塊內，模塊間和通道間的匹配設計和相互干擾，數字電路模塊對模擬電路模塊的影響以及溫度分布對各模塊影響的前提下，通過對芯片版圖的合理布局和各版圖區(qū)的合理設計，更好的實現了過壓保護芯片的電路功能，使得設計得到的芯片功耗低，內阻小，產生的熱量少，從而有效地節(jié)省了電路板的空間和成本，延長了系統(tǒng)的使用壽命。

技術領域

本實用新型屬于芯片版圖布局技術領域，具體涉及一種過壓保護芯片的版圖結構。

背景技術

隨著科技的進步，消費類電子的普及，過壓保護(OVP)芯片用于保護后續(xù)電路免受瞬間高壓的破壞，對于延長設備的使用壽命具有積極作用。因此本實用新型專利旨在兼顧OVP性能的前提下，合理分配信號通路，優(yōu)化版圖布局，使得版圖布局具有最小面積，為整個系統(tǒng)節(jié)約了成本和空間。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種過壓保護芯片的版圖結構，在兼顧OVP性能的前提下，合理分配信號通路，優(yōu)化版圖布局，降低芯片成本。

為實現上述目的，本實用新型提供的版圖結構，其特征在于，包括第一版圖區(qū)域,第二版圖區(qū)域，第三版圖區(qū)域，第四版圖區(qū)域，第五版圖區(qū)域，第六版圖區(qū)域，所述第一版圖區(qū)域對應模塊(1)位于版圖的下半部分，所述第二版圖區(qū)域對應模塊(2)位于版圖的左側中間部分，所述第三版圖區(qū)域對應模塊(3)位于版圖的中間部分，所述第四版圖區(qū)域對應模塊(4)位于版圖的右上部分，所述第五版圖區(qū)域對應模塊(5)位于版圖的上方中間部分，所述第六版圖區(qū)域對應模塊(6)位于版圖的左上部分。

所述第一版圖區(qū)域為POWERMOS版圖區(qū)，用于產生輸出，為后續(xù)供電。

所述第二版圖區(qū)域為電荷泵版圖區(qū)，用于產生N型POWERMOS管的控制電壓。

所述第三版圖區(qū)域為高低壓轉換接口電路版圖區(qū)，采用P型阱環(huán)隔離同時避免高壓金屬線在場區(qū)產生的反型區(qū)。

所述第四版圖區(qū)域為基準電路版圖區(qū)，用于產生其他各區(qū)域需要的電壓，電流信號。

所述第五版圖區(qū)域為使能，修調電路版圖區(qū)，用于產生使能信號，以及放置修調電阻。

所述第六版圖區(qū)域為OVLO電路版圖區(qū)，用于判斷OVLO電壓是否超過設定電壓，如超過則關斷powermos輸出，實現芯片過壓保護的基本功能。

由此可見，本實用新型的過壓保護芯片的版圖結構在充分考慮模塊內，模塊間和通道間的相互干擾以及溫度分布對各模塊影響的前提下，通過對芯片的版圖結構的合理布局和各版圖區(qū)的合理設計，更好的實現了過壓保護芯片的電路功能，使得設計得到的芯片功耗更低，內阻更小且產生的熱量更少，從而有效地節(jié)省了電路板空間和成本。

附圖說明

圖1是本OVP芯片的電路結構框圖。

圖2是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的結構示意圖。

圖3是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第一版圖區(qū)域的布局布線實例圖。

圖4是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第二版圖區(qū)域的布局布線實例圖。

圖5是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第三版圖區(qū)域的布局布線實例圖。

圖6是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第四版圖區(qū)域的布局布線實例圖。

圖7是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第五版圖區(qū)域的布局布線實例圖。

圖8是本實用新型的一種過壓保護芯片的版圖結構的第六版圖區(qū)域的布局布線實例圖。