[實用新型]硅穿孔裂紋檢測單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821718798.3 | 申請日： | 2018-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN208835021U | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅穿孔 觸點 裂紋檢測單元 導電襯墊 介電 導電通道 觸點連接 襯底 半導體 集成電路技術(shù) 半導體裝置 電壓差檢測 導通狀態(tài) 配置的 檢測 隔離 預測 制作 | ||
1.一種硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，包括：
模擬硅穿孔，設置于一半導體襯底中，所述模擬硅穿孔包括導電通道和隔離在所述導電通道和所述半導體襯底之間的第一介電襯墊；
導電襯墊，設置于所述半導體襯底中且圍繞所述第一介電襯墊設置；
第二介電襯墊，設置于所述半導體襯底中且圍繞所述導電襯墊設置；
第一觸點，電連接于所述導電通道；及
第二觸點，電連接于所述導電襯墊，其中，所述第一觸點和所述第二觸點用于根據(jù)所述第一觸點與所述第二觸點之間的導通狀態(tài)預測所述模擬硅穿孔所在位置范圍內(nèi)的硅穿孔是否出現(xiàn)裂紋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述導電通道的材料包括銅、鎢、鋁中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述導電襯墊的材料包括摻雜多晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述半導體襯底包括位于所述模擬硅穿孔周圍的外置區(qū)，所述導電襯墊和所述第二介電襯墊設置于所述外置區(qū)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述半導體襯底包括晶圓，所述晶圓具有用于切割的切割道，所述模擬硅穿孔的數(shù)量為多個，多個所述模擬硅穿孔等距排列與所述切割道上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
