[實用新型]基于TDD系統的設備

有效

• 申請號: 201821718091.2
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN208820796U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 謝路平;樊奇彥;劉江濤
• 申請（專利權）人: 京信通信系統（中國）有限公司;京信通信系統（廣州）有限公司;京信通信技術（廣州）有限公司;天津京信通信系統有限公司
• 主分類號: H04L5/14
• 分類號: H04L5/14;H03K17/04;H03K17/567
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周清華

本申請涉及一種基于TDD系統的設備，包括GaN HEMT以及柵壓切換電路；柵壓切換電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路；第一開關電路的第一端接入TDD切換信號，第一開關電路的第二端分別連接第二開關電路的第一端和第三開關電路的第一端；第二開關電路的第二端連接柵極電壓源，第二開關電路的第三端連接GaN HEMT的柵極管腳；第三開關電路的第二端連接負電壓電源端，第三開關電路的第三端連接GaN HEMT的柵極管腳。TDD切換信號可控制第一開關電路的通斷，第一開關電路的通斷可控制第二開關電路和第三開關電路的通斷，能夠切換GaN HEMT的柵極管腳的電壓；基于上述結構，設備可利用TDD上下行切換信號，控制GaN HEMT的柵極電壓，實現GaN HEMT的快速關斷與開啟。

技術領域

本申請涉及通信技術領域，特別是涉及一種基于TDD系統的設備。

背景技術

氮化鎵(GaN)半導體材料具有禁帶寬度寬、電子漂移速度高、擊穿場強高、化學性質穩定等優點，是制備高頻、大功率器件的理想材料。以GaN為襯底的高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)具有輸出功率密度大、工作電壓高和輸出阻抗高的優點，在無線通信中發揮著越來越重要的作用，是無線通信放大器等設備的核心器件。

在實現過程中，發明人發現傳統技術中至少存在如下問題：在TDD(Time DivisionDuplexing，時分雙工)通信系統中，上、下行使用同一頻率信道的不同時隙，用時間來區分上、下行。因此，上、下行鏈路也需時分工作，不能同時工作，基于TDD系統的設備需要根據時分信號，實現GaN HEMT的快速開啟和關斷。

實用新型內容

基于此，有必要針對基于TDD系統的設備需要根據時分信號實現GaN HEMT的快速開啟和關斷的問題，提供一種基于TDD系統的設備。

為了實現上述目的，一方面，本申請實施例提供了一種基于TDD系統的設備，包括GaN HEMT以及柵壓切換電路。

柵壓切換電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路。第一開關電路的第一端用于接入TDD切換信號，第一開關電路的第二端分別連接第二開關電路的第一端和第三開關電路的第一端。第二開關電路的第二端用于連接柵極電壓源，第二開關電路的第三端連接GaN HEMT的柵極管腳。第三開關電路的第二端用于連接負電壓電源端，第三開關電路的第三端連接GaN HEMT 的柵極管腳。

上述技術方案中的一個技術方案具有如下優點和有益效果：

基于TDD系統的設備包括GaN HEMT以及柵壓切換電路；柵壓切換電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路；第一開關電路的第一端用于接入TDD切換信號，第一開關電路的第二端分別連接第二開關電路的第一端和第三開關電路的第一端；第二開關電路的第二端用于連接柵極電壓源，第二開關電路的第三端連接GaN HEMT的柵極管腳；第三開關電路的第二端用于連接負電壓電源端，第三開關電路的第三端連接GaN HEMT的柵極管腳。TDD 切換信號可控制第一開關電路的通斷，第一開關電路的通斷可控制第二開關電路和第三開關電路的通斷，能夠切換GaN HEMT的柵極管腳的電壓；基于上述結構，設備可利用TDD上下行切換信號，控制GaN HEMT的柵極電壓，進而實現GaN HEMT的快速關斷與開啟。

附圖說明

通過附圖中所示的本申請的優選實施例的更具體說明，本申請的上述及其它目的、特征和優勢將變得更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分，且并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本申請的主旨。

圖1為一個實施例中基于TDD系統的設備的第一示意性結構圖；

圖2為一個實施例中基于TDD系統的設備的第二示意性結構圖；