[實用新型]基于TDD系統的設備

有效

• 申請號: 201821718091.2
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN208820796U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 謝路平;樊奇彥;劉江濤
• 申請（專利權）人: 京信通信系統（中國）有限公司;京信通信系統（廣州）有限公司;京信通信技術（廣州）有限公司;天津京信通信系統有限公司
• 主分類號: H04L5/14
• 分類號: H04L5/14;H03K17/04;H03K17/567
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周清華

1.一種基于TDD系統的設備，其特征在于，包括GaN HEMT以及柵壓切換電路；

所述柵壓切換電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路；

所述第一開關電路的第一端用于接入TDD切換信號，所述第一開關電路的第二端分別連接所述第二開關電路的第一端和所述第三開關電路的第一端；

所述第二開關電路的第二端用于連接柵極電壓源，所述第二開關電路的第三端連接所述GaN HEMT的柵極管腳；

所述第三開關電路的第二端用于連接負電壓電源端，所述第三開關電路的第三端連接所述GaN HEMT的柵極管腳。

2.根據權利要求1所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，所述第一開關電路為第一MOS管開關電路或第一三極管開關電路；

所述第二開關電路為第二MOS管開關電路或第二三極管開關電路；

所述第三開關電路為第三MOS管開關電路或第三三極管開關電路。

3.根據權利要求2所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，所述第一MOS管開關電路包括PNP三極管以及第一N型MOS管；所述第二MOS管開關電路包括第一P型MOS管；所述第三MOS管開關電路包括第二N型MOS管；

所述PNP三極管的基極用于接入所述TDD切換信號；所述PNP三極管的發射極用于連接正電壓電源端；所述PNP三極管的集電極連接所述第一N型MOS管的柵極，且用于連接所述負電壓電源端；

所述第一N型MOS管的源極用于連接所述負電壓電源端，所述第一N型MOS管的漏極分別連接所述第一P型MOS管的柵極和所述第二N型MOS管的柵極；

所述第一P型MOS管的源極和柵極用于連接所述柵極電壓源，所述第一P型MOS管的漏極連接所述GaN HEMT的柵極管腳；

所述第二N型MOS管的源極用于連接所述負電壓電源端，所述第二N型MOS管的漏極連接所述GaN HEMT的柵極管腳。

4.根據權利要求3所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，所述第二MOS管開關電路還包括第一電阻和第二電阻；

所述第一P型MOS管的源極通過所述第一電阻連接所述柵極電壓源；

所述第二電阻的第一端連接所述第一P型MOS管的漏極，所述第二電阻的第二端連接所述第一P型MOS管的源極。

5.根據權利要求3所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，還包括漏壓開關電路；

所述漏壓開關電路的第一端連接所述GaN HEMT的柵極管腳，所述漏壓開關電路的第二端用于連接漏極電壓源，所述漏壓開關電路的第三端連接所述GaN HEMT的漏極管腳。

6.根據權利要求5所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，所述漏壓開關電路包括比較器、第三電阻、第四電阻、第三N型MOS管、第五電阻、第六電阻以及第二P型MOS管；

所述比較器的正相輸入端通過所述第三電阻接地，且通過所述第四電阻連接所述負電壓電源端；所述比較器的反相輸入端連接所述GaN HEMT的柵極管腳，所述比較器的正電源端用于連接正電壓電源端，所述比較器的負電源端用于連接所述負電壓電源端；所述比較器的輸出端連接所述第三N型MOS管的柵極；

所述第三N型MOS管的源極接地，所述第三N型MOS管的漏極連接所述第五電阻的第一端；所述第五電阻的第二端分別連接所述第六電阻的第一端，以及所述第二P型MOS管的柵極；所述第六電阻的第二端用于連接所述漏極電壓源；所述第二P型MOS管的柵極和源極用于連接所述漏極電壓源，所述第二P型MOS管的漏極連接所述GaN HEMT的漏極管腳。

7.根據權利要求3所述的基于TDD系統的設備，其特征在于，還包括第一電容組、第二電容組以及第三電容組；

所述GaN HEMT的柵極管腳通過所述第一電容組接地；所述負電壓電源端通過所述第二電容組接地；所述正電壓電源端通過所述第三電容組接地。