[發明專利]形成硫化物半導體膜及其太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 201210306447.2
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103000753A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 廖曰淳;楊豐瑜;丁晴
• 申請（專利權）人: 旺能光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，包含有：

涂布一層前驅物溶液于一基板上，此前驅物溶液包含一溶劑、金屬硫化物納米粒子，以及金屬離子及金屬絡合物離子至少其中之一，其中，所述金屬離子及/或所述金屬絡合物離子是分布于所述金屬硫化物納米粒子的表面；以及

進行一回火工藝，使所述層前驅物溶液形成所述硫化物半導體膜；

其中，金屬硫化物納米粒子、金屬離子及金屬絡合物離子所包含的金屬是選自由周期表第I、II、III及IV族所構成的組合且包含所述硫化物半導體材料的所有金屬元素。

2.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述涂布前驅物溶液的步驟包含濕式涂布法、印刷法、旋涂法、浸泡涂布法、刮刀涂布法、淋幕式涂布法、斜板式涂布法、噴霧式涂布法、斜縫式涂布法、液面彎曲式涂布法、網印法、噴墨式印刷法、移印法、膠版輪轉式印刷法及凹版印刷法。

3.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，更包含在約25°C到約600°C的溫度干燥所述層前驅物溶液的步驟。

4.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述回火步驟是在溫度約300°C到約700°C下進行。

5.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述金屬硫化物納米粒子、所述金屬離子及所述金屬絡合物離子所包括的金屬包含錫、銅及鋅。

6.如權利要求5所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述金屬硫化物納米粒子、所述金屬離子及所述金屬絡合物離子所包括的金屬更包含鍺。

7.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述金屬硫化物納米粒子、所述金屬離子及所述金屬絡合物離子所包括的金屬包含銅、銦及鎵。

8.如權利要求1所述的形成硫化物半導體膜的方法，其特征在于，所述硫化物半導體膜是選自由IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物及I-II-IV-VI族化合物所構成的組合。

9.一種形成太陽能電池的方法，其特征在于，包含有：

形成一下電極于一基板上；

使用如申請專利范圍第1項的方法形成一硫化物半導體膜于所述下電極上；

形成一半導體層于所述硫化物半導體膜上；以及

形成一上電極于所述半導體層上。

10.如權利要求9所述的形成太陽能電池的方法，其特征在于，所述形成一半導體層的步驟包含形成一n型半導體層。

11.如權利要求9所述的形成太陽能電池的方法，其特征在于，所述形成上電極的步驟包含形成一透明導電層。