[實(shí)用新型]隱形膜低輻射玻璃有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821698487.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN209292226U | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董清世;陳大偉;張福清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 信義玻璃（天津）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C03C17/36 | 分類號(hào)： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 300000 天津市濱*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 隱形膜 低輻射玻璃 低輻射 基層電介質(zhì)層 本實(shí)用新型 玻璃基板 電介質(zhì)層 上層電介質(zhì)層 表面粘接 鍍膜玻璃 反射率 透過(guò)率 疊層 銀層 上層 基層 | ||
1.一種隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：包括：
玻璃基板；
低輻射隱形膜，所述低輻射隱形膜包括依序疊層設(shè)置的基層電介質(zhì)層、基層第二電介質(zhì)層、功能銀層、上層電介質(zhì)層和上層第二電介質(zhì)層，所述基層電介質(zhì)層與所述玻璃基板的表面粘接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述低輻射隱形膜由依序疊層設(shè)置的所述基層電介質(zhì)層、所述基層第二電介質(zhì)層、所述功能銀層、所述上層電介質(zhì)層和所述上層第二電介質(zhì)層組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述基層電介質(zhì)層為TZO層，所述基層電介質(zhì)層的厚度為35nm～40nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述基層第二電介質(zhì)層為AZO層，所述基層第二電介質(zhì)層的厚度為120nm～130nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述功能銀層的厚度為8nm～10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述上層電介質(zhì)層為AZO層，所述上層電介質(zhì)層的厚度為15nm～20nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述上層第二電介質(zhì)層為TiZrOx層，所述上層第二電介質(zhì)層的厚度為15nm～20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述低輻射隱形膜通過(guò)磁控濺射的方式沉積于所述玻璃基板的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述玻璃基板為浮法白?；寤虺撞Ｔ濉?/p>
10.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的隱形膜低輻射玻璃，其特征在于：所述隱形膜低輻射玻璃的透過(guò)率為88％，反射率為6％。
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