[實用新型]一種電平轉換電路

有效

• 申請號: 201821693423.6
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN208836110U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 何永強;程劍濤;杜黎明;羅旭程;張艷萍
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

本申請提供一種電平轉換電路，在現有電平轉換電路中增加設置了電阻恒定的第一阻抗和第二阻抗起到限流作用。且通過設置第一阻抗和第二阻抗的位置，避免第一阻抗和第二阻抗的加入引入新的電容，從而影響電平轉換電路的高速傳輸性能。另外，本實用新型提供的電平轉換電路還能夠在VDD電壓變化時，尤其當VDD較低時，同樣具有較好的高速傳輸性能。而且相對于現有技術中的電平轉換電路的最高速傳輸能力有所提高。

技術領域

本實用新型涉及電子電路技術領域，尤其涉及一種電平轉換電路。

背景技術

在模擬芯片和芯片級系統(System on Chip，SOC)的設計研發過程中，由于采用了不相兼容的電源電壓等原因，系統內部常常出現輸入/輸出邏輯不協調的問題，因此需要進行電平轉換。電平轉換電路即是用于將低電壓域所對應的高電平信號及低電平信號(VINA，VINB)轉換成高電壓域對應的高電平信號及低電平信號(VOUTA，VOUTB)，或相反的一種電子電路。

也即模擬芯片和SOC系統中可能存在多個電壓域的情況，而不同的電壓域之間進行控制或時鐘信號傳輸時需要設置一個電平轉換電路。通過電平轉換電路將低電壓域信號轉換為高電壓域信號，或者相反轉換。

然而實際情況中，低電壓域和高電壓域也會由于應用場景而發生變化，需要在兩種電壓域各自電平發生變化的同時保持較高的傳輸速度，例如傳輸高速時鐘信號。

但現有技術中的電平轉換電路，受其自身限制，在電平轉換過程中，無法滿足更高速轉換，大大降低了電平轉換電路的高速性能。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種電平轉換電路，以解決現有技術中電平轉換電路在高速傳輸情況下，性能較低的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種電平轉換電路，包括：

第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，以及第一阻抗和第二阻抗；

其中，所述第一NMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第一輸入端；

所述第二NMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第二輸入端；

所述第一PMOS管的柵極、所述第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第一輸出端；

所述第二PMOS管的柵極、所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第二輸出端；

所述第一PMOS管的源極以及所述第一阻抗的第一端相連；

所述第二PMOS管的源極以及所述第二阻抗的第一端相連；

所述第一阻抗的第二端與所述第二阻抗的第二端共接，連接至電源；

其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗為恒定阻抗，所述恒定阻抗為不隨電流變化的阻抗。

優選地，所述第一阻抗和所述第二阻抗均為不隨通過其電流的大小而變化的電阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。

優選地，所述第一NMOS管的襯底端與其源極相連并接地；

所述第二NMOS管的襯底端與其源極相連并接地。

優選地，所述第一PMOS管的襯底端與其源極相連；

所述第二PMOS管的襯底端與其源極相連。

優選地，所述第一NMOS管與所述第二NMOS管的尺寸大小相同；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同。

本實用新型還提供另外一種電平轉換電路，包括：