[實(shí)用新型]一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821685347.4
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN209418491U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建華;陸鴻興;趙亮;游志文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽品科技（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/49
• 分類號(hào): H01L23/49;H01L23/31
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 姚姣陽

本實(shí)用新型揭示了一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)，該超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、金屬引腳、金屬引線和塑封體，所述芯片的四周間隙設(shè)置有金屬引腳，所述芯片與金屬引腳之間通過金屬引線電性連接，芯片的上表面與金屬引腳的四周均被塑封體覆蓋，芯片的下表面外露。所述芯片的厚度為50～300μm，所述塑封體厚度為200~800um。本技術(shù)方案提供了一種厚度更薄的封裝結(jié)構(gòu)，大大地降低了現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)積體電路體積，節(jié)省了終端應(yīng)用空間。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)，可用于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的塊型地圖型四方平面無腳封裝結(jié)構(gòu)積體電路主要采用金屬基島支撐上方芯片，這種傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的不足點(diǎn)在于：金屬基島及基島與芯片間粘結(jié)物質(zhì)自身有一定厚度，該厚度會(huì)影響整個(gè)封裝體厚度，后續(xù)封裝過程中需考量這一厚度。芯片通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)與金屬基島相連，芯片表面用金屬線與金屬線路板管腳連接信號(hào)互通，此設(shè)計(jì)集成電路塑封體厚度高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提出一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的目的將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)：一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、金屬引腳、金屬引線和塑封體，所述芯片的四周間隙設(shè)置有金屬引腳，所述芯片與金屬引腳之間通過金屬引線電性連接，芯片的上表面與金屬引腳的四周均被塑封體覆蓋，芯片的下表面外露。

優(yōu)選地，所述芯片的厚度為50～300μm。

優(yōu)選地，所述塑封體厚度為200~800um。

優(yōu)選地，所述線路板為銅板、單層樹脂線路板或多層樹脂線路板。

優(yōu)選地，所述金屬引線為金線、銀線、銅線或其他合金線。

優(yōu)選地，所述金屬引腳的厚度為0.1~0.2mm。

優(yōu)選地，所述金屬引腳的厚度為0.05~0.15mm。

本實(shí)用新型技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在：本技術(shù)方案提供了一種厚度更薄的封裝結(jié)構(gòu)，大大地降低了現(xiàn)有塊型地圖型四方平面無腳封裝結(jié)構(gòu)積體電路體積，節(jié)省了終端應(yīng)用空間。

該方案可以應(yīng)用在一般的封裝體及封裝工藝使其成為超薄膠體集成電路，如MQFN可以成為ST-MQFN/BGA可以成為ST-BGA/FPS可以成為ST-FPS……減少集成電路在終端印刷板電路所占用體積。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3為圖1、圖2的俯視圖。

圖中附圖標(biāo)記：1---金屬引腳，2---芯片，6---金屬引線，4---塑封體。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型的目的、優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)，將通過下面優(yōu)選實(shí)施例的非限制性說明進(jìn)行圖示和解釋。這些實(shí)施例僅是應(yīng)用本實(shí)用新型技術(shù)方案的典型范例，凡采取等同替換或者等效變換而形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。

本實(shí)用新型揭示了一種超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)，如圖1、圖2和圖3所示，該超薄塊型封裝結(jié)構(gòu)包括金屬引腳1、芯片2、金屬引線6和塑封體4，所述芯片的四周間隙設(shè)置有金屬引腳1，所述芯片2與金屬引腳1之間通過金屬引線6電性連接，芯片2的上表面與金屬引腳的四周均被塑封體覆蓋，芯片2的下表面外露，芯片的下表面為散熱面。

實(shí)施例1：圖1中，金屬引腳厚度為金屬引線框架即有厚度，金屬引腳的厚度為0.1~0.2mm，在本技術(shù)方案中，金屬引腳的厚度優(yōu)選為0.2mm，金屬引線會(huì)打在此高度引腳上方。