[實用新型]灰階掩膜板有效
| 申請號: | 201821645011.5 | 申請日: | 2018-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN208689359U | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發明(設計)人: | 萬志龍;楊鵬;莊崇營;譚曉彬;柳發霖;于春琦;李林 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 唐維虎 |
| 地址: | 516600 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 灰階圖案 灰階 透光圖案 遮光圖案 掩膜板 幾何中心點 半曝光區 邊緣重合 光刻膠 多行多列 非透明區 距離相等 均勻作用 曝光顯影 相鄰兩列 相鄰兩行 控制光 透明區 光能 顯影 掩膜 制程 曝光 申請 | ||
本申請提供的灰階掩膜板,包括透明區、非透明區及包括呈多行多列排列的灰階圖案的灰階區;任意相鄰兩行的灰階圖案中,其中一行灰階圖案的遮光圖案與另一行灰階圖案的透光圖案至少部分邊緣重合;任意相鄰兩列的灰階圖案中,其中一列灰階圖案的遮光圖案與另一列灰階圖案的透光圖案至少部分邊緣重合;透光圖案的幾何中心點到相鄰的遮光圖案邊緣的距離,與所述遮光圖案的幾何中心點到相鄰的透光圖案邊緣的距離相等。經過上述灰階掩膜板后的光能均勻作用在灰階區對應的半曝光區的光刻膠上;控制光刻過程中半曝光區的光刻膠在曝光顯影后的顯影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加簡單,制程成本大幅度降低。
技術領域
本申請涉及光刻掩膜板制造技術領域,具體而言,涉及一種灰階掩膜板。
背景技術
隨著智能終端(比如,智能手機、智能電視、智能手表、平板電腦等)的興起,薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,簡稱:TFT-LCD)越來越多的應用到上述智能終端中。TFT-LCD產業競爭異常激烈,高性價比的TFT-LCD屏不斷推入市場。如何在保證TFT-LCD屏質量的情況下,降低生產成本成為企業在激烈市場競爭中獲得有利地位的重要保障。在TFT-LCD屏制程工藝中,曝光在整制程工藝中占據著很大一部分成本,如何在減少曝光次數的前提下,保證曝光質量,對于本領域技術人員而言是急需要解決的技術問題。
實用新型內容
有鑒于此,本申請的目的在于提供一種灰階掩膜板,以解決上述問題。
本申請實施例提供一種灰階掩膜板,該灰階掩膜板包括透光區、非透光區以及灰階區,所述灰階區包括呈多行多列排列的灰階圖案,每一行灰階圖案包括間隔設置的透光圖案和遮光圖案;
任意相鄰兩行的灰階圖案中,其中一行灰階圖案的遮光圖案與另一行灰階圖案的透光圖案至少部分邊緣重合;
任意相鄰兩列的灰階圖案中,其中一列灰階圖案的遮光圖案與另一列灰階圖案的透光圖案至少部分邊緣重合;
所述透光圖案的幾何中心點到相鄰的遮光圖案邊緣的距離,與所述遮光圖案的幾何中心點到相鄰的透光圖案邊緣的距離相等。
可選地,在本申請實施例中,所述透光圖案與所述遮光圖案相同,所述透光圖案和所述遮光圖案為正多邊形。
可選地,在本申請實施例中,所述透光圖案和所述遮光圖案為正三角形;
每一行灰階圖案中相鄰的透光圖案與該相鄰的透光圖案之間的遮光圖案邊緣重合;
每一列灰階圖案中的透光圖案與遮光圖案相互間隔設置,所述透光圖案與相鄰的遮光圖案邊緣重合。
可選地,在本實施例中,所述透光圖案和所述遮光圖案為正三角形;
每一行灰階圖案中相鄰的透光圖案與該相鄰的透光圖案之間的遮光圖案邊緣重合;
任意相鄰兩行的灰階圖案中,其中一行灰階圖案中的遮光圖案的邊緣與另一行灰階圖案中的兩個透光圖案的邊緣重合,其中與一個透光圖案邊緣重合部分的長度不小于邊緣長度與所述透光圖案的幾何中心點到各邊緣距離一半的差值,與另一個透光圖案邊緣重合部分的長度不大于所述透光圖案的幾何中心點到各邊緣距離一半。
可選地,在本申請實施例中,所述透光圖案和所述遮光圖案為正方形;
每一行灰階圖案中相鄰的透光圖案與該相鄰的透光圖案之間的遮光圖案邊緣重合;
每一列灰階圖案中的透光圖案與遮光圖案相互間隔設置,相鄰的透光圖案與該相鄰的透光圖案之間的遮光圖案邊緣重合。
可選地,在本申請實施例中,所述透光圖案和所述遮光圖案為正方形;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





