[實(shí)用新型]光源板、背光模組和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821636422.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN209199928U
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆曉林;林智遠(yuǎn);馬剛;謝相偉;陳光郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L29/786;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/417;G09G3/34;G09G3/32;G02F1/13357
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

本實(shí)用新型適用于顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種光源板、背光模組和顯示裝置，光源板的每一發(fā)光單元包括發(fā)光元件以及驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一漏極和第一源極均呈條狀并呈螺旋狀分布，第一漏極分布于第一源極之間并與第一源極之間形成呈條狀并呈螺旋狀分布的間隙，第一有源層對(duì)應(yīng)該間隙形成呈條狀并呈螺旋狀分布的溝道，以增加所述溝道的寬度。本實(shí)用新型通過(guò)第一漏極和第一源極設(shè)計(jì)為均呈條狀并呈螺旋狀分布，以形成呈條狀并呈螺旋狀分布的溝道，該螺旋狀的溝道能夠明顯地提高溝道的寬長(zhǎng)比，提高其驅(qū)動(dòng)能力，從而該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管允許更大的驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)，滿足作為背光使用的驅(qū)動(dòng)電流的要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種a-Si TFT器件驅(qū)動(dòng)的主動(dòng)背光LED光源板、背光模組和顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，TFT(Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)主要應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)每一顆像素，例如液晶顯示陣列、有機(jī)發(fā)光二極管顯示陣列等。根據(jù)使用的半導(dǎo)體材料的不同，目前主流的TFT可以區(qū)分為a-Si(Amorphous Silicon,非晶硅)、IGZO(Indium Gallium ZincOxide,銦鎵鋅氧化物)和LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶硅)三大類。a-Si材料質(zhì)量低，載流子遷移率小，因此 a-Si TFT能夠承受的電流密度小，而IGZO和LTPS中的載流子遷移率大，能夠承受較大的電流密度。

對(duì)于單顆TFT，在特定的電流密度下，其所能夠通過(guò)的最大電流正比于其溝道寬度與長(zhǎng)度的比值(寬長(zhǎng)比)。而為了限制TFT的漏電流，確保器件穩(wěn)定，TFT的溝道長(zhǎng)度必須大于一定的數(shù)值。

目前的LCD陣列、OLED陣列具有較高的分辨率，因此相鄰兩個(gè)像素之間的間距(Pitch)都比較小，大約在0.1mm至1mm之間，如圖1和2所示。對(duì)于電流驅(qū)動(dòng)元件如有機(jī)發(fā)光二極管001(圖1)，TFT 002所占據(jù)的面積通常在像素總面積中占比較大，通過(guò)增加面積進(jìn)一步增加電流密度的空間不大。在另一種情況下，對(duì)于液晶顯示應(yīng)用，液晶(開口區(qū)域)003所占據(jù)面積必須達(dá)到一定比例(圖2)，因此TFT 002’所占的面積有限。因此，在這些傳統(tǒng)的應(yīng)用中，TFT的面積都不能夠很大，當(dāng)需要較大電流的時(shí)候，只能使用遷移率更高的材料如IGZO或者LTPS的TFT來(lái)獲取更大的電流密度。

Mini-LED(迷你發(fā)光二極管)背光技術(shù)是近年來(lái)涌現(xiàn)的新型顯示技術(shù)之一，具有動(dòng)態(tài)分辨率高、省電、算法簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前常見的Mini-LED背光技術(shù)采用PCB(PrintedCircuit Board,印制電路板)背板上焊接集成電路的驅(qū)動(dòng)方式，造成PCB設(shè)計(jì)難度大、焊接次數(shù)多以及生產(chǎn)成本高的問(wèn)題，而在OLED領(lǐng)域應(yīng)用較多的TFT驅(qū)動(dòng)技術(shù)則較少被應(yīng)用于Mini-LED背光顯示當(dāng)中。造成這一現(xiàn)象的主要原因是背光LED需要的電流密度通常比較大(mA級(jí)別)，傳統(tǒng)的a-Si TFT難以滿足其電流密度的需求，而LTPS等新技術(shù)的成本較高。

在背光Mini-LED陣列中，Pitch的尺寸通常能夠達(dá)到10-100mm，遠(yuǎn)大于 TFT的傳統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景。在這一情況下，Pitch中有大量的可利用面積，即使用a-Si 作為TFT材料，也很有可能利用該大量的面積來(lái)得到具有較大的驅(qū)動(dòng)電流的 TFT。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種a-Si TFT器件驅(qū)動(dòng)的主動(dòng)背光LED光源板，旨在將傳統(tǒng)的a-Si TFT應(yīng)用到LED中以滿足作為背光模組使用要求的技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種光源板，包括設(shè)置于基板上的多個(gè)發(fā)光單元；每一所述發(fā)光單元包括發(fā)光元件以及驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第一柵極、第一有源層、第一源極和第一漏極，所述第一漏極和第一源極均呈條狀并呈螺旋狀分布，所述第一漏極分布于所述第一源極之間，所述第一漏極與所述第一源極之間形成呈條狀并呈螺旋狀分布的間隙，以增加所述第一有源層對(duì)應(yīng)所述間隙形成的呈條狀并呈螺旋狀分布的溝道的寬度。